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本发明涉及一种碳化硅PVT长晶用高质量籽晶的制备方法，其包括以下步骤：步骤1、根据所需尺寸及形状裁切碳化硅晶圆，并对碳化硅晶圆表面进行清洁处理；步骤2、在碳化硅晶圆上外延生长阻隔层；步骤3、对碳化硅晶圆进行图形化光刻处理，并在碳化硅晶圆上形...该专利属于璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司授权不得商用。