一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，包括以下步骤：在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；研磨所述晶圆的正面，通过研磨或蚀刻减薄所述晶圆的背面的中部，在所述晶圆的背面涂布第一聚酰亚胺涂层；对所述晶圆的正面进行涂布光阻、曝光与显影，在所述晶圆的正面形成需要布置铜柱的区域；在所述区域上镀铜，形成铜柱。在所述晶圆的正面涂布聚酰亚胺涂层；通过金属蒸镀或金属溅镀形成所述晶圆背面的金属镀膜。与现有技术相比，本申请的制造工艺能形成更好的应力缓冲，且晶圆的正反面皆可焊接或打线连接封装散热片。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺
本专利技术涉及晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺。
技术介绍
在现有的高功率半导体元件超薄晶圆中，一般通过在metalPAD上形成厚膜铜膜以达成最佳散热效果。但若电镀厚膜铜再做背面减薄，正面会形成较大的段差(topologyheight)，而段差及正面各区域应力的分布而容易导致晶圆破片。因此，不论是采用tape或Glasscarrier键合晶圆正面都难以克服平坦性的困难，导致在晶圆的背面减薄制程中，晶圆难以薄化至100微米以下的厚度。在另一技术路线中，先做背面的减薄，再翻转回正面制作黄光制程及电镀厚膜铜，则由于超薄晶片的翘曲(warpage)问题，难以顺利制作正面工艺。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提出了一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种晶圆的铜柱结构与厚膜镀铜结构的制造工艺，包括以下步骤：在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的铜柱结构与厚膜镀铜结构的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；/n在晶圆的正面敷贴保护胶带，研磨所述晶圆的正面，再撕掉所述保护胶带；/n通过研磨或蚀刻减薄所述晶圆的背面的中部，使所述晶圆的背面呈中央薄、边缘厚；/n在所述晶圆的背面涂布第一聚酰亚胺涂层，通过加热烘烤去除挥发溶剂；/n对所述晶圆的正面进行涂布光阻、曝光与显影，在所述晶圆的正面形成需要布置铜柱的区域；/n在所述区域上镀铜，形成铜柱；去除光阻，以及所述区域之外的铜种子层；/n在所述晶圆的正面涂布第二聚酰亚胺涂层，并经过曝光、显影，形成铜柱与封装导线的金属焊...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的铜柱结构与厚膜镀铜结构的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；
在晶圆的正面敷贴保护胶带，研磨所述晶圆的正面，再撕掉所述保护胶带；
通过研磨或蚀刻减薄所述晶圆的背面的中部，使所述晶圆的背面呈中央薄、边缘厚；
在所述晶圆的背面涂布第一聚酰亚胺涂层，通过加热烘烤去除挥发溶剂；
对所述晶圆的正面进行涂布光阻、曝光与显影，在所述晶圆的正面形成需要布置铜柱的区域；
在所述区域上镀铜，形成铜柱；去除光阻，以及所述区域之外的铜种子层；
在所述晶圆的正面涂布第二聚酰亚胺涂层，并经过曝光、显影，形成铜柱与封装导线的金属焊接窗口；然后去除所述晶圆背面的第一聚酰亚胺涂层；
加热固化所述晶圆正面的第二聚酰亚胺涂层，使用氢氟酸去除所述晶圆的背面的氧化层；
通过金属蒸镀或金属溅镀形成所述晶圆背面的金属镀膜。


2.一种晶圆的铜柱结构与厚膜镀铜结构的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；
在晶圆的正面敷贴保护胶带，研磨所述晶圆的正面，再撕掉所述保护胶带；

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33