本发明公开了一种晶圆加工工艺，属于半导体制造领域。一种晶圆加工工艺，包括以下步骤：在晶圆背面完成背面的金属工艺，将晶圆背面键合在载盘上；在晶圆正面以及载盘上端面上涂布铝金属层，在铝金属层上涂布光阻，并使得晶圆预留的切割道上方的铝金属层暴...

本发明提出了一种电镀装置及晶圆的电镀方法，电镀装置包括：外腔组件和内腔组件，外腔组件具有容置腔，内腔组件可拆卸地设于容置腔内，内腔组件具有多个电镀区域，每个电镀区域内均具有间隔设置的阳极板和待电镀部件，待电镀部件水平放置，且待电镀部件在...

本发明涉及晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅

本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅

本实用新型涉及晶圆清洗机技术领域，公开一种超薄晶圆残胶清洗机，所述残胶清洗机包括：机座和工作板；所述机座上固定设有清洗台，清洗台上安装有若干个喷头，工作板转动设置在清洗台上，且工作板上固定有超薄晶圆，喷头采用中间疏两端密的方式设置在超薄...

本实用新型涉及晶圆残胶清洗装置技术领域，公开一种角度可调的晶圆残胶清洗设备，所述残胶清洗设备包括：机台和旋转板；所述机台上设置有清洗用的喷头，且机台上转动设置有两个圆环，用于调节晶圆清洗角度，圆环上固定连接有清洗台，用于固定晶圆的旋转板...

本发明公开一种一种晶圆切割工艺，包括以下步骤：S1、于晶圆正面切割道处切割形成宽而浅的沟槽A，研磨晶圆背面使晶圆减薄；S2、翻转晶圆正面朝上置入第一载盘中；S3、翻转晶圆背面朝上置入第二载盘中，晶圆侧壁外圈SOG进行封堵；S4、在晶圆背...

本发明公开一种基于载盘的超薄晶圆切割工艺，具体包括以下步骤：S1、完成正面制程后预切割部分深度；S2、完成晶圆背面减薄；S3、将减薄后晶圆置于载盘中；S4、在晶圆边缘形成环形的光阻封堵，在晶圆背面预切割一定深度；S5、完成背面金属制程，...

本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：将晶圆正面键合至载板；将晶圆的背面减薄至预设厚度后，完成背面元件工艺；将晶圆转移至载盘，将晶圆和载盘的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺封止，将载板与晶圆解键合，移除载板载板；移除第一聚亚酰胺，...

本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：去除用于固定第一载盘和晶圆的聚亚酰胺；将晶圆从第一载盘转移至第二载盘；对晶圆的背面进行金属镀膜工艺；将晶圆的背面贴附至切割模框；在晶圆的正面采用蚀刻和激光工艺切割晶圆。根据本发明的半导体器件的...

本发明公开一种利用网格型玻璃载盘加工CIS晶圆的方法，包括以下步骤：S1、晶圆正面键合网格型玻璃载盘，晶圆背面进行减薄至暴露出TSV；S2、在晶圆背面表面沉积介电层，然后通过化镀形成再分布线RDL和焊点；S3、将晶圆背面贴附蚀刻保护膜，...

本发明提出了一种具有载板的晶圆组件及其制备和解键合方法，晶圆组件，包括：晶圆和载板，晶圆通过释放层和黏着层固定于载板，其中，释放层包括：第一释放层和第二释放层，载板朝向晶圆的表面设有第一释放层，晶圆朝向载板的表面设有第二释放层，黏着层位...

本发明公开一种超薄晶圆置入凹槽型载盘的方法，包括以下步骤：(1)将超薄晶圆基板置于带喷气机构的机械臂上，通过机械臂吹气使超薄晶圆基板悬浮于机械臂上方；(2)使用带夹持机构的机械臂夹持凹槽式载板，将凹槽式载板的凹面朝下，由上方与超薄晶圆基...

本发明属于半导体加工领域，公开了一种利用载盘进行SiC晶圆加工的工艺，具体包括以下步骤：S1、将完成前段正面制程，正面键合在玻璃载板，背面减薄后完成SiC基板背面离子植入及金属制程；S2、在基板背面上方倒扣载盘，整体翻转后旋转涂布SOG...

本发明提出了一种缓坡状晶圆制备方法，包括：S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层；S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使...

本发明提出了一种具有凹槽的载板的制备方法，包括：S100，采用激光切割方法，在载板上表面的预设区域内进行切割，形成多根立柱；S200，采用蚀刻液对预设区域内的多根立柱进行蚀刻，至多根立柱被蚀刻掉预设量，采用揭开剥离工艺使多根立柱从载板分...

本发明提出了一种用于基板的电镀装置及电镀方法，电镀装置用于进行基板的电镀，电镀装置具有盛放电解液的电镀腔，待电镀基板置于电镀腔的电解液中并与电源正极连接，待电镀基板的至少一侧具有连接电源负极的阳极板，阳极板与待电镀基板之间具有绝缘板，绝...

本发明公开一种利用载盘密封晶圆的方法，载盘表面开设有凹槽，所述凹槽内壁设有至少一个卡榫，密封晶圆的方法包括以下步骤：S1、将待加工晶圆边缘开设至少一个卡槽，然后将晶圆放入载盘表面的凹槽中，卡槽与卡榫配合；S2、在晶圆和载盘的表面沉积或涂...

本发明公开一种凹槽型载盘，载盘表面开设有至少一个凹槽，所述载盘和凹槽为圆形或正多边形，凹槽侧壁呈缓坡状，凹槽侧壁的倾角θ小于90

本发明公开一种利用缓坡状背面进行IGBT晶圆加工的方法，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面金属制程前的工艺；S2、蚀刻晶圆背面形成缓坡；S3、完成晶圆背面制程；S4、背面涂布聚酰亚胺；S5、制作正面金属制程；S6、正面涂布聚酰亚胺，通过显...