基片检查方法、基片检查系统和控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片检查方法、基片检查系统和控制装置。基片检查方法包括：基于模型形成用基片的膜的特征量的测量结果，和拍摄模型形成用基片而生成的模型形成用拍摄图像，来构建表示基片的拍摄图像中的像素值与该基片的膜的特征量的关系的相关模型的步骤；拍摄特征量获取对象基片生成拍摄图像，基于该拍摄图像和相关模型，来计算特征量获取对象基片的膜的推算特征量的步骤；计算对多个特征量获取对象基片计算出的推算特征量的统计值的步骤；以及根据膜的特征量的测量结果和推算特征量的统计值，计算推算特征量的补偿量的步骤，其中膜是对补偿计算用基片进行与推算特征量被计算出的膜相同的处理的膜。本发明专利技术能够简单且准确地获取基片的膜的特征量。

【技术实现步骤摘要】
基片检查方法、基片检查系统和控制装置
本专利技术涉及基片检查方法、基片检查系统和控制装置。
技术介绍
专利文献1公开了膜厚测量方法，其进行形成于基片上的膜的膜厚测量。该膜厚测量方法包括膜厚坐标获取工序、像素值提取工序、相关数据生成工序和膜厚计算工序。膜厚坐标获取工序对形成于测量准备用晶片上的具有不均匀的厚度的膜，获取预先测量了测量准备用晶片上的多个点得到的膜厚测量值和与膜厚测量值对应的各坐标。像素值提取工序从预先用摄像装置拍摄测量准备用晶片得到的准备用拍摄图像，提取在膜厚坐标获取工序中获得的各坐标的像素值。相关数据生成工序生成在各坐标中提取出的像素值与各坐标的膜厚测量值的相关数据。膜厚计算工序用摄像装置拍摄成为膜厚测量对象的晶片来获取拍摄图像，基于该拍摄图像的像素值和相关数据，计算形成于成为膜厚测量对象的晶片上的膜的膜厚。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-215193号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的技术能够简单且准确地获取形成于基片的膜的特征量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对基片进行检查的基片检查方法，其特征在于，包括：/n基于用测量器测量形成于模型形成用基片的膜的特征量的测量结果，和用第一基片处理系统的摄像装置拍摄所述模型形成用基片而生成的模型形成用拍摄图像，来构建表示基片的拍摄图像中的像素值与形成于该基片的膜的特征量的关系的相关模型的步骤；/n用第二基片处理系统的摄像装置拍摄特征量获取对象基片生成拍摄图像，基于该拍摄图像和所述相关模型，来计算形成于所述特征量获取对象基片的膜的推算特征量的步骤；/n计算对多个所述特征量获取对象基片计算出的所述推算特征量的统计值的步骤；以及/n根据由测量器测量膜的特征量的测量结果和所述推算特征量的统计值，计算所述推算特征...

【技术特征摘要】
20190605 JP 2019-1055571.一种对基片进行检查的基片检查方法，其特征在于，包括：
基于用测量器测量形成于模型形成用基片的膜的特征量的测量结果，和用第一基片处理系统的摄像装置拍摄所述模型形成用基片而生成的模型形成用拍摄图像，来构建表示基片的拍摄图像中的像素值与形成于该基片的膜的特征量的关系的相关模型的步骤；
用第二基片处理系统的摄像装置拍摄特征量获取对象基片生成拍摄图像，基于该拍摄图像和所述相关模型，来计算形成于所述特征量获取对象基片的膜的推算特征量的步骤；
计算对多个所述特征量获取对象基片计算出的所述推算特征量的统计值的步骤；以及
根据由测量器测量膜的特征量的测量结果和所述推算特征量的统计值，计算所述推算特征量的补偿量的步骤，其中所述膜是用所述第二基片处理系统对补偿计算用基片进行与所述推算特征量被计算出的膜的形成处理相同的处理而形成的膜。


2.如权利要求1所述的基片检查方法，其特征在于：
包括基于所述补偿量对所述计算膜的推算特征量的步骤中计算出的所述推算特征量进行修正的步骤。


3.如权利要求2所述的基片检查方法，其特征在于：
将已修正的所述推算特征量用于所述第二基片处理系统中的基片处理条件的调整。


4.如权利要求1～3中任一项所述的基片检查方法，其特征在于：
所述膜的特征量是膜厚或者该膜的线宽。


5.如权利要求1～3中任一项所述的基片检查方法，其特征在于：
所述计算推算特征量的统计值的步骤中，将所述计算推算特征量的步骤中计算出的所述推算特征量中的预先设定的范围外的推算特征量排除后，计算所述统计值。


6.如权利要求1～3中任一项所述的基片检查方法，其特征在于：
所述计算推算特征量的统计值的步骤中，将所述计算推算特征量的步骤中计算出的所述推算特征量中的、基于所述特征量获取对象基片的所述拍摄图像的缺陷检查中检查出缺陷的所述特征量获取对象基片的推算特征量排除后，计算所述统计值。


7.一种对基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹤田丰久，富田浩，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP