【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有集成计量的衬底加工工具及其使用方法相关申请的交叉引用本申请涉及并要求2018年3月20日提交的美国临时专利申请序列号62/645,685的优先权,该美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及衬底加工,并且更具体地涉及一种被配置用于执行集成的衬底加工和衬底计量的衬底加工工具及其使用方法。
技术介绍
随着生产较小的晶体管,图案化特征的临界尺寸(CD)或分辨率变得越来越难以生产。需要自对准图案化来替换套刻驱动(overlay-driven)的图案化,以便即使在引入EUV之后也可以继续进行具有成本效益的缩放。需要使得能够减少可变性、扩展缩放以及增强CD和过程控制的图案化选项,然而以适当低的成本生产经缩放器件变得极其困难。选择性沉积可以显著降低与高级图案化相关联的成本。薄膜的选择性沉积(诸如间隙填充)、电介质和金属在特定衬底上的区域选择性沉积以及选择性硬掩模是大规模技术节点中图案化的关键步骤。
技术实现思路
本专利技术的实施例描述了一种被配置用于执行集成衬底加工和衬底计量的衬底 ...
【技术保护点】
1.一种衬底加工工具,包括:/n衬底搬送室;/n多个衬底加工室,该多个衬底加工室耦接至该衬底搬送室;以及/n衬底计量模块,该衬底计量模块耦接至该衬底搬送室。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180320 US 62/645,6851.一种衬底加工工具,包括:
衬底搬送室;
多个衬底加工室,该多个衬底加工室耦接至该衬底搬送室;以及
衬底计量模块,该衬底计量模块耦接至该衬底搬送室。
2.如权利要求1所述的衬底加工工具,其中,该衬底计量模块包括一个或多个分析工具,该一个或多个分析工具测量衬底的或在衬底上形成的薄膜和层的一种或多种材料特性。
3.如权利要求1所述的衬底加工工具,其中,该衬底搬送室包括衬底搬送机械手。
4.如权利要求1所述的衬底加工工具,其中,该多个衬底加工室包括:
第一衬底加工室,该第一衬底加工室被配置用于执行自组装单层(SAM)工艺;
第二衬底加工室,该第二衬底加工室被配置用于执行膜沉积工艺;以及
第三衬底加工室,该第三衬底加工室被配置用于执行刻蚀工艺。
5.如权利要求4所述的衬底加工工具,其中,该第二衬底加工室被配置用于通过原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)、化学气相沉积(CVD)或等离子体增强CVD(PECVD)来执行膜沉积工艺。
6.如权利要求4所述的衬底加工工具,进一步包括
第四衬底加工室,该第四衬底加工室被配置用于使用反应性处理气体、热处理或其组合来执行处理工艺。
7.如权利要求1所述的衬底加工工具,其中,该衬底计量模块通过闸阀直接耦接至该衬底搬送室。
8.一种衬底加工方法,包括:
在衬底加工工具的第一衬底加工室中加工衬底;
将该衬底从该第一衬底加工室通过衬底搬送室搬送到该衬底加工工具中的衬底计量模块;
在该衬底计量模块中对该衬底执行计量;
将该衬底从该衬底计量模块通过该衬底搬送室搬送到第二衬底加工室;以及
在该第二衬底加工室中加工该衬底。
9.如权利要求8所述的衬底加工方法,其中,该衬底计量模块通过闸阀直接耦接至该衬底搬送室。
10.如权利要求8所述的衬底加工...
【专利技术属性】
技术研发人员:坎达巴拉·塔皮利,罗伯特·克拉克,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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