用于熔接和剥离的低密度硅氧化物的方法和结构技术

本文中描述的是一种接合以及/或者剥离基底的方法。在一个实施方案中，要被接合的基底的表面中的至少一个包括氧化物。在一个实施方案中，两个基底的表面均包括氧化物。然后，可以利用湿蚀刻通过蚀刻掉已经接合的层来剥离基底。在一个实施方案中，利用熔接工艺来接合两个基底，至少一个基底具有硅氧化物表面。在一种示例性蚀刻中，利用稀氢氟酸(DHF)蚀刻来蚀刻接合的硅氧化物表面，从而允许剥离两个接合的基底。在另一个实施方案中，硅氧化物可以是低密度硅氧化物。在一个实施方案中，两个基底都可以具有可以被熔接在一起的低密度硅氧化物的表面层。

【技术实现步骤摘要】
用于熔接和剥离的低密度硅氧化物的方法和结构相关申请的交叉引用本申请要求2019年4月24日提交的题为“MethodAndStructureforLowDensitySiliconOxideforFusionBondingandDebonding”的美国临时专利申请第62/837,993号和2019年9月17日提交的题为“MethodAndStructureforLowDensitySiliconOxideforFusionBondingandDebonding”的美国专利申请第16/573,775号的优先权，其全部公开内容通过引用明确地并入本文。
本公开涉及基底的处理。特别地，本公开提供了一种用于使基底接合和剥离(脱开，debonding)的新方法。
技术介绍
在各种工艺流程中利用基底的接合以处理基底。例如，在形成微机电系统(MEMS)、纳米机电系统(NEMS)、光电子学、绝缘体基底上硅、多层器件、三维器件以及其他半导体器件时，可以将基底接合用作工艺流程的一部分。在基底接合中，通常将两个基底接合在一起。图1示出了用于多基底结构1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理第一基底和第二基底的方法，包括：/n在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个上设置氧化物表面层；/n熔接所述第一基底和所述第二基底；以及/n通过使用氧化物蚀刻剂来使所述第一基底与所述第二基底脱开。/n

【技术特征摘要】
20190424 US 62/837,993;20190917 US 16/573,7751.一种用于处理第一基底和第二基底的方法，包括：
在所述第一基底和所述第二基底中的至少一个上设置氧化物表面层；
熔接所述第一基底和所述第二基底；以及
通过使用氧化物蚀刻剂来使所述第一基底与所述第二基底脱开。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物表面层包括低密度硅氧化物。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧化物蚀刻剂包括氢氟酸。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述氧化物蚀刻剂包括稀氢氟酸。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一基底具有第一氧化物表面层，以及所述第二基底具有第二氧化物表面层。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一氧化物表面层包括低密度硅氧化物，以及所述第二氧化物表面层包括低密度硅氧化物。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述熔接形成Si-O-Si键。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述氧化物蚀刻剂包括湿的氧化物蚀刻剂。


9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述氧化物蚀刻剂包括氢氟酸。


10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物蚀刻剂包括湿的氧化物蚀刻剂。


11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一基底具有第一氧化物表面层，以及所述第二基底具有第二氧化物表面层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井清隆，相泽宽和，前田宽，前川薰，三村裕司，末永治信，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP