除电方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值的步骤；和施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离的步骤。本发明专利技术能够对基片的残留吸附进行充分的除电。

【技术实现步骤摘要】
除电方法和基片处理装置
本专利技术涉及除电方法和基片处理装置。
技术介绍
例如，专利文献1提供了一种方法，在使基片从静电吸盘脱离时，根据供给到基片的背面的导热气体的压力等的监视结果来求取静电吸盘表面的残留电荷量的大小和正负的极性，将与残留电荷量相同的大小且正负相反的电压施加到吸盘电极，从而使基片脱离。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-149935号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，在计算残留电荷量并将与计算出的残留电荷量相同大小且正负相反的电压施加到吸盘电极的除电方法中，对于因静电吸盘的残留电荷引起的基片的残留吸附，存在除电不充分的情况。本专利技术提供一种能够对基片的残留吸附进行充分的除电的技术。用于解决问题的技术手段依照本专利技术的一方式提供一种除电方法，其包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种除电方法，其特征在于，具有：/n步骤(a)，在静电吸盘上载置有基片的情况下向处理容器内导入气体；/n步骤(b)，一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电；/n步骤(c)，在基于所述气体的放电开始之后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值；和/n步骤(d)，施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离。/n

【技术特征摘要】
20190426 JP 2019-0864071.一种除电方法，其特征在于，具有：
步骤(a)，在静电吸盘上载置有基片的情况下向处理容器内导入气体；
步骤(b)，一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电；
步骤(c)，在基于所述气体的放电开始之后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值；和
步骤(d)，施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离。


2.如权利要求1所述的除电方法，其特征在于，还具有：
步骤(e)，计算所述基片的残留电荷量；和
步骤(f)，基于计算出的所述残留电荷量，计算使所述基片的电荷量达到所述电荷中和区域的所述直流电压的绝对值，
在步骤(c)中，施加步骤(f)中计算出的所述直流电压的绝对值。


3.如权利要求2所述的除电方法，其特征在于：
在计算出的所述基片的残留电荷量为负的情况下，将所述直流电压向正的方向控制，
在计算出的所述基片的残留电荷量为正的情况下，将所述直流电压向负的方向控制。


4.如权利要求1～3中任一项所述的除电方法，其特征在于，还具有：
步骤(g)，在处理完所述基片之后要使所述基片脱离时，测量推升所述基片的升降销的力矩；和
步骤(h)，基于测量出的所述升降销的力矩，判断是否执行所述除电方法。


5.如权利要求2所述的除电方法，其特征在于：
在步骤(e)中，通过使推升所述基片用的升降销在上下方向上移动来使所述基片振动，并基于此时在所述吸附电极中流动的感应电流来计算所述残留电荷量。


6.如权利要求1所述的除电方法，其特征在于：
在步骤(c)中，监视所述基片的电荷量，并根据所述直流电压的控制方向与监视值的关系来施加所述直流电压的绝对值，以使得所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域。


7.如权利要求1～6中任一项所述的除电方法，其特征在于：
所述气体是非活性气体。


8.如权利要求1～7中任一项所述的除电方法，其特征在于：
在步骤(a)中，导入所述气体以使得所述处理容器内的压力成为在200～800mTorr的范围内预先设定的值。


9.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
将所述基片载置在所述静电吸盘上的步骤；
对所述吸附电极施加直流电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒金俊行，纲本哲，大﨑良规，佐藤雅纪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP