基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置实现的基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤。步骤b)是在凹部的侧壁形成沿凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤。步骤b)包括步骤b‑1)和步骤b‑2)。步骤b‑1)是供给第1反应物，使第1反应物吸附到凹部的侧壁的步骤。步骤b‑2)是供给第2反应物，使第1反应物与第2反应物反应而形成膜的步骤。本发明专利技术能够抑制半导体图案的形状异常。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法和基片处理装置
本专利技术涉及基片处理方法和基片处理装置。
技术介绍
伴随半导体装置的集成不仅在水平方向而且在垂直方向上进展，在半导体装置的制造过程中形成的图案的高宽比(aspectratio)变大。例如，在3DNAND的制造中，在贯通多个金属配线层的方向上形成通道孔(channelhole)。在形成64层存储单元的情况下，通道孔的高宽比为45。为了高精度地形成高高宽比的图案，提出了各种各样的方法。例如，提出了通过在形成于基片的电介质材料的开口反复执行蚀刻和成膜，来抑制横向上的蚀刻的方法(专利文献1)。另外，提出了将蚀刻和成膜组合来形成用于防止电介质层的横向上的蚀刻的保护膜的方法(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2016/0343580号说明书专利文献2：美国专利申请公开第2018/0174858号说明书
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够抑制半导体图案的形状异常的技术。用于解决技术问题的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：/na)对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤；和/nb)在所述凹部的侧壁形成沿所述凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤，/n所述b)包括：/nb-1)供给第1反应物，使第1反应物吸附到所述凹部的侧壁的步骤；和/nb-2)供给第2反应物，使所述第1反应物与所述第2反应物反应而形成膜的步骤。/n

【技术特征摘要】
20190228 JP 2019-036708;20191111 JP 2019-203918;201.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
a)对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤；和
b)在所述凹部的侧壁形成沿所述凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤，
所述b)包括：
b-1)供给第1反应物，使第1反应物吸附到所述凹部的侧壁的步骤；和
b-2)供给第2反应物，使所述第1反应物与所述第2反应物反应而形成膜的步骤。


2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述b)中，
所述b-1)不使所述第1反应物吸附到所述凹部的整个表面，和/或，
所述b-2)不使所述第1反应物与所述第2反应物在所述凹部的整个表面反应。


3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
c)在所述b)之后，对所述凹部的底部进行蚀刻，形成高高宽比的凹部的步骤。


4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述c)之后还执行所述b)。


5.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：
所述被处理体包括基片、形成于所述基片上的蚀刻对象膜和形成于所述蚀刻对象膜上的掩模，
所述基片处理方法还包括：
d)在所述掩模的上部形成预备膜，使所述凹部的开口尺寸减少的步骤。


6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述b)之前执行所述d)。


7.如权利要求5或6所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述凹部的高宽比不足10时执行所述d)。


8.如权利要求5或6所述的基片处理方法，其特征在于：
在从所述掩模的上表面至所述凹部的底部的深度尺寸相对于所述凹部的顶部开口尺寸之比不足15时执行所述d)。


9.如权利要求5至8中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述凹部的高宽比为10以上时，或者从所述掩模的上表面至所述凹部的底部的深度尺寸相对于所述凹部的顶部开口尺寸之比不足15时，反复执行所述a)和所述b)。


10.如权利要求3至9中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述a)或者所述c)之后，根据所述凹部的高宽比，改变所述b-1)和所述b-2)之中至少一者的处理条件。


11.如权利要求1至10中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在反复执行n次以上的所述b)中，通过在第n次的处理和第(n-1)次的处理中改变处理条件，来改变在反复执行的所述b)中形成的所述膜的位置和/或厚度，其中n为2以上的自然数。


12.如权利要求1至11中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在反复执行第n’次以上的所述b)中，通过改变第n’次的处理和第(n’-1)次的处理中使用的所述第1反应物和所述第2反应物，来改变在反复执行的所述b)中形成的所述膜的位置和/或厚度，其中n’为2以上的自然数。


13.如权利要求1至12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述b)中，将设置于载置所述被处理体的载置台的能够独立地控制温度的多个区域各自控制成根据该多个区域各自的面内位置而不同的温度，使形成的所述膜的厚度根据所述多个区域的温度变化。


14.如权利要求1至13中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
将所述a)和所述b)反复执行至少n”，其中n”为2以上的自然数，
在第(n”-1)次的b-2)步骤中，将设置于载置所述被处理体的载置台的能够独立地控制温度的多个区域各自控制成第1温度，形成在深度方向具有第1膜厚分布的第1膜，
在第n”次的所述b-2)步骤中，将所述多个区域各自控制成第2温度分布，形成在深度方向具有第2膜厚分布的第2膜。


15.如权利要求1至14中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
所述b-1)中的处理条件满足条件(1)至(5)之中至少任一者，该条件(1)至(5)分别为：
(1)处理腔室的压力被设定为，在其他处理条件相同的情况下，比用于完成在所述凹部的深度方向上的整个表面吸附所述第1反应物的处理的压力低的值，
(2)处理时间被设定为，在其他处理条件相同的情况下，比用于完成在所述凹部的深度方向上的整个表面吸附所述第1反应物的处理的处理时间短的时间，
(3)所述第1反应物的稀释度被设定为，在其他处理条件相同的情况下，比用于完成在所述凹部的深度方向上的整个表面吸附所述第1反应物的处理的稀释度高的值，
(4)所述被处理体的载置台的温度被设定为，在其他处理条件相同的情况下，比...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊仓翔，笹川大成，户村幕树，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP