基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质制造方法及图纸

技术编号:25532208 阅读:50 留言:0更新日期:2020-09-04 17:19
本发明专利技术提供一种能够防止图案倒塌并行使充满在形成于基片的图案的凹部中的升华性物质升华的基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质。第1单元包括:溶液供给部,其将含有升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到处理面(Wa);和第1液除去部,其从被供给了升华性物质溶液的处理面(Wa)上除去溶剂和处理液,在处理面(Wa)上形成升华性物质的固体膜(SS)。第2单元包括:第2液除去部(61、62、63),其对形成有固体膜(SS)的基片(W)进行加热,将基片(W)维持在比升华性物质的升华温度低的第1温度范围内的温度,由此使残存在固体膜(SS)内的溶剂和处理液70气化;和固体膜除去部(61、62、63),其将基片(W)加热至升华温度以上的第2温度范围内的温度,由此将固体膜(SS)从处理面(Wa)上除去。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质
本专利技术涉及一种通过使充满在形成于基片的图案的凹部中的升华性物质升华,以使基片干燥的技术。
技术介绍
近年来,形成在半导体晶片等的基片的图案在向微小化发展,图案的高宽比(高度/宽度)逐渐变高。伴随图案的微小化和高高宽比化,在液处理后的基片的干燥处理中,容易产生因图案凹部内的液的表面张力导致的图案倒塌(构成图案的凸状部的倒塌)。为了应对该问题,有时进行使用升华性物质的干燥处理(例如参照专利文献1)。在该干燥处理中,依次进行:用升华性物质溶液置换图案凹部内的IPA等的液的步骤;用使该升华性物质溶液中所含的溶剂蒸发而固化的升华性物质,充满图案凹部的步骤;和使固化的升华性物质升华的步骤。通过这样的使用升华性物质的干燥处理,能够防止因液的表面张力导致的图案倒塌。但是,在这样的使用升华性物质的干燥处理中,有时会带来图案倒塌的问题。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2012-243869号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题<br>本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片干燥装置,其能够使具有使用处理液进行了液处理的处理面的基片干燥,所述基片干燥装置的特征在于,包括:/n在所述处理面形成升华性物质的固体膜的第1单元;和/n使所述固体膜升华以将其从所述处理面除去的第2单元,/n所述第1单元包括:/n溶液供给部,其将含有所述升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到所述处理面;和/n第1液除去部,其从被供给了所述升华性物质溶液的所述处理面上除去所述溶剂和所述处理液,在所述处理面上形成所述升华性物质的所述固体膜,/n所述第2单元包括:/n第2液除去部,其对形成有所述固体膜的所述基片进行加热,将该基片维持在比所述升华性物质的升华温度低的第1温度范围内的温度,由...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180129 JP 2018-0129321.一种基片干燥装置,其能够使具有使用处理液进行了液处理的处理面的基片干燥,所述基片干燥装置的特征在于,包括:
在所述处理面形成升华性物质的固体膜的第1单元;和
使所述固体膜升华以将其从所述处理面除去的第2单元,
所述第1单元包括:
溶液供给部,其将含有所述升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到所述处理面;和
第1液除去部,其从被供给了所述升华性物质溶液的所述处理面上除去所述溶剂和所述处理液,在所述处理面上形成所述升华性物质的所述固体膜,
所述第2单元包括:
第2液除去部,其对形成有所述固体膜的所述基片进行加热,将该基片维持在比所述升华性物质的升华温度低的第1温度范围内的温度,由此使残存在所述固体膜内的所述溶剂和所述处理液气化;和
固体膜除去部,其在所述第2液除去部将所述基片维持在所述第1温度范围内的温度之后,将该基片加热至所述升华性物质的升华温度以上的第2温度范围内的温度,由此将所述固体膜从所述处理面上除去。


2.如权利要求1所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述第2液除去部从下方对所述基片进行加热。


3.如权利要求1或2所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述第1液除去部具有使所述基片旋转的旋转部,利用该旋转部使所述基片旋转,由此使所述溶剂和所述处理液从所述处理面上蒸发。


4.如权利要求1~3中任一项所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述第2单元具有对所述基片进行加热的加热装置,该加热装置能够改变传递至所述基片的热量,
所述加热装置通过改变传递至所述基片的热量,而兼用作所述第2液除去部和所述固体膜除去部。


5.如权利要求4所述的基片干燥装置,其特征在于:
所述加热装置包括加热部和调节所述加热部与所述基片之间的距离的位置调节机构,
将所述加热装置用作所述第2液除去部时的所述加热部与所述基片之间的距离,比将所述加热装置用作所述固体膜除去部时的所述加热部与所述基片之间的距离大。


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【专利技术属性】
技术研发人员:川渕洋介
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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