基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质制造方法及图纸

[课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向基板供给冲洗液，从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质
本专利技术涉及：用于从基板去除该基板上的附着物的基板处理装置和基板处理方法、以及记录有执行该基板处理方法的程序的存储介质。
技术介绍
半导体装置的制造工序中，进行了如下工序：对于形成在半导体晶圆等基板上的被蚀刻膜(例如层间绝缘膜、金属膜等)，使用抗蚀膜作为掩模材料进行蚀刻，图案化为规定的图案。另一方面，近来，使用低介电常数膜(Low-k膜)作为层间绝缘膜的Cu多层布线技术受到关注，这样的Cu多层布线技术中，采用在Low-k膜中形成埋入布线槽或孔，并在其中埋入Cu的双镶嵌法。作为Low-k膜，大多使用有机系者，在蚀刻这样的有机系Low-k膜的情况下，无法充分获得与作为相同的有机膜的抗蚀膜的选择比，因此，将Ti膜、TiN膜等无机系的硬掩模膜作为蚀刻用的掩模材料使用。即，将抗蚀膜作为掩模材料，将硬掩模膜蚀刻成规定的图案，将蚀刻成规定图案的硬掩模膜作为掩模材料，对Low-k膜进行蚀刻。必须去除在蚀刻后残留于基板上的抗蚀膜、硬掩模膜等不需要的附着物。对于这些不需要的附着物的去除，例如，使用单片式清洗装置，在旋转作为被处理基板的半导体晶圆的同时，向其中心连续地供给去除液，并利用离心力将去除液散布至半导体晶圆的整面的同时进行去除(例如专利文献1、专利文献2、专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-146594号公报专利文献2：日本特开2010-114210号公报专利文献3：日本特开2013-207080号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供：从基板能有效地去除该基板上的附着物(例如抗蚀膜、硬涂膜等)的技术。用于解决问题的方案根据本专利技术的一实施方式，提供一种基板处理装置，其为从基板去除前述基板上的附着物的基板处理装置，其具备去除处理部和控制部，所述去除处理部具有：第1处理液供给部，其向前述基板供给含有前述附着物的去除剂、具有比前述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；第2处理液供给部，其向供给了前述第1处理液的基板供给用于形成防气体扩散膜的第2处理液；基板加热部，其将供给了前述第2处理液的基板在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下进行加热；和，冲洗液供给部，其向前述基板供给冲洗液，所述控制部以如下方式控制前述第1处理液供给部、前述第2处理液供给部、前述基板加热部和前述冲洗液供给部：前述第1处理液供给部向前述基板供给前述第1处理液，接着，前述第2处理液供给部向前述基板供给前述第2处理液，接着，前述基板加热部将前述基板在前述规定温度下进行加热，由此，促进前述溶剂的蒸发和前述附着物与前述去除剂的反应，接着，前述冲洗液供给部向前述基板供给前述冲洗液，由此，从前述基板去除前述附着物，前述防气体扩散膜用来防止由前述附着物与前述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至前述基板的周围。根据本专利技术的另一实施方式，提供一种基板处理方法，其为从基板去除前述基板上的附着物的基板处理方法，所述基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向前述基板供给含有前述附着物的去除剂、具有比前述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向前述基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将前述基板在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进前述溶剂的蒸发和前述附着物与前述去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向前述基板供给冲洗液，从前述基板去除前述附着物，前述防气体扩散膜用来防止由前述工序(C)中的前述附着物与前述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至前述基板的周围。根据本专利技术的进一步另一实施方式，提供一种存储介质，其记录有如下程序：通过用于控制基板处理装置的动作的计算机而执行时，前述计算机控制前述基板处理装置，执行上述基板处理方法。专利技术的效果根据本专利技术的基板处理装置和基板处理方法，可以有效地从基板去除该基板上的附着物(例如抗蚀膜、硬涂膜等)。另外，防气体扩散膜防止将基板加热时由前述附着物与前述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至前述基板的周围，因此，即使气体状的反应性产物为腐蚀性，也可以防止由于该反应性产物而使处理装置的构成要素受到损伤、或生成源自该反应性产物的颗粒。附图说明图1为示出本专利技术的一实施方式的基板处理装置的构成的简图。图2为示出图1所示的基板处理装置所具备的基板处理单元的构成的俯视简图。图3为示出图2所示的基板处理单元所具备的第1处理部的构成的截面简图。图4为示出图2所示的基板处理单元所具备的第2处理部的构成的截面简图。图5为示出图2所示的基板处理单元所具备的第3处理部的构成的截面简图。图6为用于说明干蚀刻处理的截面简图。图7为说明通过供给第1处理液而得到的膜的状态的截面简图。图8说明向基于第1处理液的膜上供给第2处理液而得到的膜的状态的截面简图。图9为对去除基板周缘部的硬掩模的方法进行说明的简图。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。＜基板处理装置的构成＞对本专利技术的一实施方式的基板处理装置的构成，参照图1进行说明。图1为示出本专利技术的一实施方式的基板处理装置的构成的简图。如图1所示那样，本专利技术的一实施方式的基板处理装置1具备：基板处理单元2、和用于控制基板处理单元2的动作的控制单元3。基板处理单元2进行针对基板的各种处理。对基板处理单元2所进行的各种处理如后述。控制单元3例如为计算机，其具备控制部和存储部。控制部例如为CPU(CentralProcessingUnit)，读取存储于存储部的程序并执行，从而控制基板处理单元2的动作。存储部例如由RAM(RandomAccessMemory)、ROM(ReadOnlyMemory)、硬盘等存储器件构成，存储用于控制基板处理单元2中执行的各种处理的程序。需要说明的是，程序可以记录于能由计算机读取的存储介质，也可以从该存储介质安装于存储部。作为能由计算机读取的存储介质，例如可以举出硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光碟(MO)、记忆卡等。记录介质中记录有如下程序：通过例如用于控制基板处理装置1的动作的计算机而执行时，计算机控制基板处理装置1并执行后述的基板处理方法。＜基板处理单元的构成＞接着，对基板处理单元2的构成，参照图2进行说明。图2为示出基板处理单元2的构成的俯视简图。需要说明的是，图2中的虚线表示基板。基板处理单元2进行针对基板的各种处理。本实施方式中，基板处理单元2进行如下去除处理：从干蚀刻处理后的基板去除该基板上的硬掩模膜。基板处理单元2所进行的处理只要包括从基板去除该基板上的硬掩模膜的处理就没有特别限定。基板处理单元2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其为用于从基板去除所述基板上的附着物的基板处理装置，/n该基板处理装置具备去除处理部和控制部，/n所述去除处理部具有：/n第1处理液供给部，其向所述基板供给含有所述附着物的去除剂、具有比所述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；/n第2处理液供给部，其向供给了所述第1处理液的基板供给用于形成防气体扩散膜的第2处理液；/n基板加热部，其将供给了所述第2处理液的基板在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下进行加热；和，/n冲洗液供给部，其向所述基板供给冲洗液，/n所述控制部以如下方式控制所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部、所述基板加热部和所述冲洗液供给部：所述第1处理液供给部向所述基板供给所述第1处理液，接着，所述第2处理液供给部向所述基板供给所述第2处理液，接着，所述基板加热部将所述基板在所述规定温度下进行加热，由此，促进所述溶剂的蒸发和所述附着物与所述去除剂的反应，接着，所述冲洗液供给部向所述基板供给所述冲洗液，由此，从所述基板去除所述附着物，/n所述防气体扩散膜用来防止由所述附着物与所述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至所述基板的周围。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171207 JP 2017-2352121.一种基板处理装置，其为用于从基板去除所述基板上的附着物的基板处理装置，
该基板处理装置具备去除处理部和控制部，
所述去除处理部具有：
第1处理液供给部，其向所述基板供给含有所述附着物的去除剂、具有比所述去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；
第2处理液供给部，其向供给了所述第1处理液的基板供给用于形成防气体扩散膜的第2处理液；
基板加热部，其将供给了所述第2处理液的基板在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下进行加热；和，
冲洗液供给部，其向所述基板供给冲洗液，
所述控制部以如下方式控制所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部、所述基板加热部和所述冲洗液供给部：所述第1处理液供给部向所述基板供给所述第1处理液，接着，所述第2处理液供给部向所述基板供给所述第2处理液，接着，所述基板加热部将所述基板在所述规定温度下进行加热，由此，促进所述溶剂的蒸发和所述附着物与所述去除剂的反应，接着，所述冲洗液供给部向所述基板供给所述冲洗液，由此，从所述基板去除所述附着物，
所述防气体扩散膜用来防止由所述附着物与所述去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物扩散至所述基板的周围。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述防气体扩散膜含有有机聚合物。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述有机聚合物为苯酚聚合物或丙烯酸类聚合物。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述去除剂包含盐酸或四甲基铵。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，所述第1处理液供给部、所述第2处理液供给部、所述基板加热部和所述冲洗液供给部...

【专利技术属性】
技术研发人员：香川兴司，户岛孝之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP