基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置具有：处理容器，其收纳基板；载置台，其在该处理容器内载置基板；排气部，其对该处理容器内的处理气体进行排气；以及分隔壁，其配置于该处理容器内，包围载置台，在该分隔壁的内部，在整周上以在铅垂方向延伸的方式形成有与排气部连通的排气流路，沿着该分隔壁的内侧周向等间隔地形成有与基板处理空间和该排气流路连通的多个开口，该基板处理空间形成于该分隔壁的内侧且载置台的上方。

Substrate treatment device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
(关联申请的相互参照)本申请基于2017年11月30日在日本提出申请的特愿2017-230140号主张优先权，将其内容引用于此。本专利技术涉及一种对基板进行预定的处理之际所使用的基板处理装置。
技术介绍
近年来，随着半导体器件的精细化，使用了被称为化学氧化物去除(ChemicalOxideRemoval：COR)处理的能够进行更精细化蚀刻的方法来替代等离子体蚀刻、湿蚀刻这样的以往的蚀刻技术。COR处理是如下处理：在保持成真空的处理容器内，向作为例如被处理体的半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)供给处理气体，使该处理气体与在例如晶圆上形成的膜反应而生成生成物。通过COR处理在晶圆表面生成的生成物在下一工序中进行加热处理，从而升华，由此，晶圆表面的膜被去除。利用逐张处理晶圆的单张式的处理装置进行这样的COR处理，但近年来，为了谋求生产率的提高，存在使用同时处理多张晶圆的处理装置的情况(专利文献1)。在专利文献1的处理装置中，提出了如下方案：为了防止处理气体的流动在多张例如两张晶圆表面上变得不均匀，设置有将处理容器内上下分隔成处理空间和排气空间的缓冲板。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-146854号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，近年来，晶圆处理的均匀性的要求变得严格。因此，在设置有将处理容器内简单地上下分隔成处理空间和排气空间的缓冲板、从该缓冲板的下方对处理空间内的气氛进行排气的结构中，难以恰当地控制处理气体的流动即均匀性和流速。因此，特别是晶圆的周边部处的处理的均匀性、晶圆中央部的处理的均匀性存在改善的余地。本专利技术是鉴于这点而做成的，目的在于改善处理气体的排气的均匀性而使基板处理的面内均匀性提高。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术的一技术方案是一种对基板进行处理的基板处理装置，具有：处理容器，其收纳基板；载置台，其在所述处理容器内载置基板；排气部，其对所述处理容器内的处理气体进行排气；以及分隔壁，其配置于所述处理容器内，包围所述载置台。并且，在所述分隔壁的内部，在整周上以在铅垂方向上延伸的方式形成有与所述排气部连通的排气流路，沿着所述分隔壁的内侧周向等间隔地形成有与基板处理空间和所述排气流路连通的多个开口，该基板处理空间形成于所述分隔壁的内侧且所述载置台的上方。根据本专利技术的一技术方案，用于基板处理的处理气体在被从基板处理空间排气之际，从基板上的周边部朝向分隔壁侧流动，通过沿着分隔壁内周的周向形成的多个开口而向分隔壁内部的排气流路流出。并且，之后从该排气流路经由排气部排气。所述开口沿着分隔壁的周向均等地形成，因此，在处理气体的排气的流速被减速了的状态下朝向分隔壁侧均匀地流动，另外，分隔壁内的与开口连通的排气流路以在铅垂方向延伸的方式形成于分隔壁内，因此，能够适当维持所述减速状态。其结果，在基板的周边部处能够在使处理气体不滞留的范围内使流速充分地降低，而且能够成为均匀的流动。因而，也能够在基板周边部以与中央部没有差异的程度实现由处理气体进行的处理，另外，也能够在基板周边部实现均匀的处理。专利技术的效果根据本专利技术的一技术方案，在使用处理气体而对处理容器内的载置台上的基板供给处理气体并进行处理之际，能够使处理气体的排气的流速恰当且均匀，能够使基板处理的面内均匀性提高。附图说明图1是表示本实施方式的晶圆处理装置的结构的概略的纵剖视图。图2是表示分隔壁的结构的概略的立体图。图3是将图2的分隔壁分解成各构成零部件来表示的立体图。图4是表示分隔壁的主要部分的结构的概略的立体图。图5是表示在本实施方式的晶圆处理装置中使分隔壁下降到基板输送位置的情况下的结构的概略的纵剖视图。图6是表示开口区域与载置台上的晶圆之间的位置关系的说明图。图7是从斜下方观察分隔壁的立体图。图8是表示本实施方式的晶圆处理装置中的处理气体的流动的说明图。图9是表示以往的晶圆处理装置中的主要部分的气体的流动的说明图。图10是表示本实施方式的晶圆处理装置中的主要部分的气体的流动的说明图。图11是表示图9的晶圆处理装置中的晶圆表面位置与气体流速的分布关系的图表。图12是表示图10的晶圆处理装置中的晶圆表面位置与气体流速的分布关系的图表。图13是表示本专利技术的其他实施方式中的狭缝的结构的分隔壁的立体图。图14是表示在分隔壁位于基板处理位置时的形成处理空间的侧周面的部分的上半部分设定有开口区域时的气体的流动的说明图。图15是表示在分隔壁位于基板处理位置时的形成处理空间的侧周面的部分的全部设定有开口区域时的气体的流动的说明图。图16是表示本专利技术的其他实施方式的晶圆处理装置的结构的概略的纵剖视图。具体实施方式以下，一边参照附图一边对本专利技术的实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能结构的要素，通过标注相同的附图标记，省略重复说明。首先，对作为本专利技术的实施方式的基板处理装置的晶圆处理装置的结构进行说明。图1是表示本实施方式的晶圆处理装置1的结构的概略的纵剖视图。此外，在本实施方式中，说明晶圆处理装置1是对例如晶圆W进行COR处理的COR处理装置的情况。如图1所示，晶圆处理装置1具有：气密地构成的处理容器10；多台、在本实施方式中为两台载置台11、11，其用于在处理容器10内载置晶圆W；供气部12，其从各载置台11的上方朝向载置台供给处理气体；分隔壁13，其用于包围各载置台11、11的外方，升降自由地构成；升降机构14，其固定于处理容器10的底面，用于使所述分隔壁13升降；以及排气部15，其用于对处理容器10内进行排气。处理容器10是由例如铝、不锈钢等金属形成的整体上呈例如大致长方体状的容器。处理容器10的俯视的形状是例如大致矩形，具有：筒状的侧壁20，其上表面和下表面开口；顶板21，其气密地覆盖侧壁20的上表面；以及底板22，其覆盖侧壁20的下表面。另外，在侧壁20的上端面与顶板21之间设置有将处理容器10内保持成气密的密封构件(未图示)。另外，在处理容器10设置有加热器(未图示)，在底板22设置有绝热材料(未图示)。载置台11形成为大致圆筒形状，具有：上部台30，其具备用于载置晶圆W的载置面；和下部台31，其固定于底板22，用于支承上部台30。在上部台30分别内置有调整晶圆W的温度的温度调整机构32。温度调整机构32通过使例如水等制冷剂循环，从而调整载置台11的温度，将载置台11上的晶圆W的温度控制成例如-20℃～140℃的预定的温度。在底板22的位于载置台11的下方的位置设置有支承销单元(未图示)，能够在由该支承销单元上下驱动的支承销(未图示)与设置到晶圆处理装置1的外部的输送机构(未图示)之间交接载置台11的晶圆W。供气部12具有向载置到载置台11的晶圆W供给处理气体的喷头40。喷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其是对基板进行处理的基板处理装置，其中，/n该基板处理装置具有：/n处理容器，其收纳基板；/n载置台，其在所述处理容器内载置基板；/n排气部，其对所述处理容器内的处理气体进行排气；以及/n分隔壁，其配置于所述处理容器内，包围所述载置台，/n在所述分隔壁的内部，在整周上以在铅垂方向上延伸的方式形成有与所述排气部连通的排气流路，/n沿着所述分隔壁的内侧周向等间隔地形成有与基板处理空间和所述排气流路连通的多个开口，该基板处理空间形成于所述分隔壁的内侧且所述载置台的上方。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 JP 2017-2301401.一种基板处理装置，其是对基板进行处理的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
处理容器，其收纳基板；
载置台，其在所述处理容器内载置基板；
排气部，其对所述处理容器内的处理气体进行排气；以及
分隔壁，其配置于所述处理容器内，包围所述载置台，
在所述分隔壁的内部，在整周上以在铅垂方向上延伸的方式形成有与所述排气部连通的排气流路，
沿着所述分隔壁的内侧周向等间隔地形成有与基板处理空间和所述排气流路连通的多个开口，该基板处理空间形成于所述分隔壁的内侧且所述载置台的上方。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述处理容器与所述分隔壁之间形成有空间，所述排气流路的端部与该空间连通。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有使所述分隔壁在基板输送位置与基板处理位置之间升降的升降机构，
在所述分隔壁位于所述基板处理位置之际，形成所述基板处理空间。


4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述分隔壁中的形成有所述开口的区域设定于在形成所述基板处理空间的侧周面的部分中的包括所述载置台上的基板的高度位...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅川雄二，网仓学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP