基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明专利技术的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明专利技术能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和存储介质
本专利技术涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
技术介绍
专利文献1公开了一种使用化学增强型抗蚀剂形成抗蚀剂图案的基片处理装置。在该基片处理装置中，控制部以曝光装置中的曝光结束后至在曝光后烘焙单元中开始曝光后烘焙处理为止的时间在每个基片为一定的方式使基片在待机部待机。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-130857号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题有时代替化学增强型抗蚀剂，而使用含金属的抗蚀剂。本专利技术提供可有效地提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。用于解决技术问题的技术方案基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。专利技术效果依照本专利技术，能够提供可有效地提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。附图说明图1是例示第1实施方式的基片处理系统的概略结构的图。图2是例示第1实施方式的基片处理装置的内部结构的示意图。图3的(a)是表示基片收纳单元的一例的示意图。图3的(b)是表示脱水单元的一例的示意图。图4是表示控制装置的功能性结构的一例的功能框图。图5是表示控制装置的硬件结构的一例的框图。图6是表示含水量的调节次序的一例的流程图。图7是表示含水量的调节次序的另一例的流程图。图8是表示第2实施方式的基片处理系统中的反应水分量的调节次序的一例的流程图。图9是表示第3实施方式的基片处理系统中的含水量的调节次序的一例的流程图。附图标记说明1……基片处理系统，2……涂敷显影装置，3……曝光装置，7……湿度调节装置，20……基片收纳单元，30……脱水单元，40……加湿单元，100……控制装置，A3、A8……输送装置，U3……涂敷单元，U7……显影单元，U8……热处理单元。具体实施方式下面，对各种例示的实施方式进行说明。在说明中，对于相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。(第1实施方式)首先，参照图1～图7，对第1实施方式的基片处理系统进行说明。(基片处理系统)基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。处理对象的基片例如是半导体的晶片W。感光性覆膜例如是抗蚀剂膜。基片处理系统1包括涂敷显影装置2和曝光装置3。曝光装置3是将形成在晶片W(基片)上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)曝光的曝光处理用的装置。曝光装置3的内部空间例如被保持为实质上的真空状态。具体而言，曝光装置3通过液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量线。涂敷显影装置2在由曝光装置3进行的曝光处理前，进行在晶片W(基片)的表面涂敷抗蚀剂(药液)而形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。基片处理系统1使用含有金属的抗蚀剂(下面称为“含金属的抗蚀剂”)，形成含金属的抗蚀剂的覆膜。例如，基片处理系统1也可以使用含有氧化金属的抗蚀剂来形成上述覆膜。(基片处理装置)下面，作为基片处理装置的一例，对涂敷显影装置2的结构进行说明。如图1和图2所示，涂敷显影装置2包括运载部4、处理部5、交接部6、湿度调节装置7和控制装置100(调节控制部)。运载部4用于将晶片W导入涂敷显影装置2内以及从涂敷显影装置2内导出晶片W。例如运载部4能够支承晶片W用的多个承载器C，并内置有包括交接臂的输送装置A1。承载器C收纳例如圆形的多个晶片W。输送装置A1从承载器C取出晶片W将其交送到处理部5，从处理部5接收晶片W将其送回承载器C内。处理部5具有多个处理区块11、12、13、14。处理区块11内置有涂敷单元U1、热处理单元U2和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块11用涂敷单元U1和热处理单元U2在晶片W的表面上形成下层膜。涂敷单元U1在晶片W上涂敷下层膜形成用的处理液。热处理单元U2执行伴随下层膜的形成而进行的各种热处理。处理区块12(成膜处理部)内置有涂敷单元U3、热处理单元U4和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块12用涂敷单元U3和热处理单元U4在下层膜上形成含金属的抗蚀剂的覆膜。涂敷单元U3将作为覆膜形成用的处理液的含金属的抗蚀剂涂敷在下层膜之上。热处理单元U4执行伴随覆膜的形成进行的各种热处理。由此，在晶片W的表面形成含金属的抗蚀剂的覆膜。处理区块13内置有涂敷单元U5、热处理单元U6和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块13用涂敷单元U5和热处理单元U6在抗蚀剂膜上形成上层膜。涂敷单元U5将上层膜形成用的液体涂敷在抗蚀剂膜之上。热处理单元U6执行伴随上层膜的形成进行的各种热处理。处理区块14内置有显影单元U7(显影处理部)、热处理单元U8(热处理部)和将晶片W输送到这些单元的输送装置A3。处理区块14用显影单元U7和热处理单元U8执行实施了曝光处理的覆膜的显影处理和伴随显影处理进行的加热处理。由此，能够在晶片W的表面形成使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案。显影单元U7在已曝光的晶片W的表面上涂敷了显影液后，用冲洗液对该晶片W进行冲洗，由此进行含金属的抗蚀剂的覆膜的显影处理。热处理单元U8执行伴随显影处理进行的各种热处理。作为热处理的具体例，能够举出显影处理前的加热处理(PEB：PostExposureBake)、显影处理后的加热处理(PB：PostBake)等。显影单元U7对由热处理单元U8实施了加热处理(PEB)的晶片W进行显影处理。下面，只要没有特别说明，那么将热处理单元U8中的加热处理作为“显影处理前的加热处理(PEB)”进行说明。此外，将含金属的抗蚀剂的覆膜简称为“覆膜”进行说明。在处理部5内的运载部4侧设有搁架单元U10。搁架单元U10被划分成在上下方向上并排的多个小格。在搁架单元U10的附近设有包括升降臂的输送装置A7。输送装置A7在搁架单元U10的小格彼此之间使晶片W升降。在处理部5内的交接部6侧设有搁架单元U11。搁架单元U11被划分成在上下方向上并排的多个小格。交接部6在其与曝光装置3之间进行晶片W的交接。例如交接部6内置有包括交接臂的输送装置A8，并与曝光装置3连接。输送装置A8借助于湿度调节装置7将配置于搁架单元U11的晶片W交送到曝光装置3。输送装置A8从曝光装置3接收晶片W，借助于湿度调节装置7将晶片W送回搁架单元U11。湿度调节装置7是构成为能够调节形成在晶片W的表面上的覆膜所含的水分量(下面，称为“含水量”。〕的装置。覆膜的含水量的调节包括：使含水量增加、使含水量减少以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；/n热处理部，其对形成有所述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的所述基片进行加热处理；/n显影处理部，其对实施了所述加热处理的所述基片的所述覆膜进行显影处理；和/n调节控制部，其使各个所述基片之在形成于所述基片上的所述覆膜内进行所述加热处理时反应的水分量的差缩小。/n

【技术特征摘要】
20190122 JP 2019-0086741.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；
热处理部，其对形成有所述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的所述基片进行加热处理；
显影处理部，其对实施了所述加热处理的所述基片的所述覆膜进行显影处理；和
调节控制部，其使各个所述基片之在形成于所述基片上的所述覆膜内进行所述加热处理时反应的水分量的差缩小。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部使各个所述基片之所述加热处理开始时的所述覆膜所含的含水量的差缩小。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部至少在所述曝光处理前调节各个所述基片的所述含水量，以使各个所述基片之所述加热处理开始时的所述含水量的差缩小。


4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
输送所述基片的输送装置；和
基片收纳部，其构成为与收纳所述输送装置的输送空间相比，能够抑制所述含水量的变化，
所述调节控制部在由所述成膜处理部形成所述覆膜后控制所述输送装置以将所述曝光处理前的所述基片送入所述基片收纳部。


5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部控制所述输送装置，以使各个所述基片之从所述成膜处理部送出至送入所述基片收纳部为止的时间的差缩小。


6.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：
输送所述基片的输送装置；和
使所述含水量减少的脱水部，
所述调节控制部在由所述成膜处理部形成所述覆膜后控制所述输送装置以将所述曝光处理前的所述基片送入所述脱水部。


7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
所述调节控制部控制输送装置以在设定的时机从所述脱水部送出所述基片，其中所述设定的时机被设定成能够使各个所述基片之从所述脱水部送出时的所述含水量的差与送入所述脱水部时相比缩小。

【专利技术属性】
技术研发人员：川上真一路，水之浦宏，佐野要平，山内刚，榎本正志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP