基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种基板处理装置，该基板处理装置谋求超临界干燥处理的効率化。本实用新型专利技术的基板处理装置为一种使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，该基板处理装置具备处理容器和多个保持部，处理容器为进行干燥处理的容器，多个保持部在处理容器的内部分别保持不同的基板。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本技术涉及基板处理装置。
技术介绍
以往，作为抑制图案塌陷而且去除残留于基板的表面水分的技术，公知有使用在高压下得到的超临界流体使基板干燥的超临界干燥技术。专利文献1：日本特开2011-009299号公报
技术实现思路
技术要解决的问题本技术提供一种谋求超临界干燥处理的効率化的技术。用于解决问题的方案本技术的一技术方案的基板处理装置为使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其进行所述干燥处理；以及多个保持部，其在所述处理容器的内部分别保持不同的所述基板。本技术的基板处理装置，优选地是，所述多个保持部在所述处理容器的内部在铅垂方向上隔开间隔地排列。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备：第1盖体，其能够对在所述处理容器的第1侧面设置的第1开口进行开闭；以及第2盖体，其能够对在所述处理容器的第2侧面设置的第2开口进行开闭，所述多个保持部中的一部分的所述保持部设于所述第1盖体，所述多个保持部中的另一部分的所述保持部设于所述第2盖体。本技术的基板处理装置，优选地是，在所述处理容器的内部，所述多个保持部的所述一部分的所述保持部和所述多个保持部的所述另一部分的所述保持部交错地排列。本技术的基板处理装置，优选地是，所述第2侧面配置在所述处理容器所具有的多个侧面中的与所述第1侧面相对的位置。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备盖体，该盖体能够对在所述处理容器的侧面设置的开口进行开闭，所述多个保持部设于所述盖体。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备盖体，该盖体能够对在上部开放的所述处理容器进行开闭，所述多个保持部设于所述盖体。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备：供给部，在所述处理容器的内部，该供给部配置于比在所述多个保持部中的最上层的所述保持部所保持的所述基板靠上方的位置，用于向所述处理容器的内部供给所述处理流体；以及排出部，在所述处理容器的内部，该排出部配置于比在所述多个保持部中的最下层的所述保持部所保持的所述基板靠下方的位置，用于从所述处理容器的内部排出所述处理流体。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备分隔板，在所述处理容器的内部，该分隔板配置于在铅垂方向上相邻的两个所述保持部之间。本技术的基板处理装置，优选地是，在铅垂方向上相邻的两个所述保持部中的上层的保持部为所述多个保持部中的最上层的保持部，所述分隔板配置于如下位置：在铅垂方向上相邻的两个所述保持部中的下层的保持部所保持的所述基板的上表面和所述分隔板的下表面之间的距离与在铅垂方向上相邻的两个所述保持部中的上层的保持部所保持的所述基板的上表面和所述处理容器的顶面之间的距离相同。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备多个供给部，该多个供给部在所述处理容器的内部沿着利用所述多个保持部保持着的多个所述基板中的所对应的所述基板的上表面供给所述处理流体。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备补充部，该补充部配置在与所述处理容器相邻的交接区域，用于向在上表面形成有液体的膜的所述基板的所述上表面补充所述液体。本技术的基板处理装置，优选地是，该基板处理装置还具备：箱体，其包围与所述处理容器相邻的交接区域，该箱体能够收纳在上表面形成有液体的膜的所述基板；以及气氛气体供给部，其用于向所述箱体的内部供给所述液体的气氛气体。技术的效果根据本技术，能够谋求超临界干燥处理的効率化。附图说明图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的示意性的剖视图。图2是表示在第1实施方式的基板处理系统中所执行的一系列的基板处理的步骤的流程图。图3是表示液处理单元的结构例的图。图4是表示第1实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图5是表示在处理容器的内部收纳多个晶圆的状态的一例的示意剖视图。图6是表示处理空间的处理流体的流通路径的一例的示意剖视图。图7是表示第2实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图8是表示第3实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图9是表示第4实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图10是表示第5实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图11是表示第6实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。图12是表示第6实施方式的保持部的结构的示意俯视图。图13是表示第7实施方式的干燥单元的结构的示意剖视图。具体实施方式以下，参照附图详细地说明用于实施本技术的基板处理装置的形态(以下，记载为“实施方式”)。另外，本技术的基板处理装置并不被该实施方式限定。此外，各实施方式在使处理内容不矛盾的范围内能够适当组合。此外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，重复的说明被省略。(第1实施方式)〔1.基板处理系统的结构〕首先，参照图1对实施方式的基板处理系统的结构进行说明。图1是从上方观察第1实施方式的基板处理系统的示意性的剖视图。另外，以下，为了使位置关系明确，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。如图1所示，基板处理系统1具备送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻地设置。(关于送入送出站2)送入送出站2具备承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11载置有以水平状态收纳多张半导体晶圆W(以下，记载为“晶圆W”)的多个承载件C。输送部12与承载件载置部11相邻地设置。在输送部12的内部配置有输送装置13和交接部14。输送装置13具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，输送装置13能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用晶圆保持机构而在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的输送。(关于处理站3)处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3具备输送模块4和多个(在此为两个)处理模块5_1、5_2。(关于输送模块4)输送模块4具备输送区域15和输送装置16。输送区域15是沿着例如送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)延伸的长方体状的区域。在输送区域15配置有输送装置16。输送装置16具备保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，输送装置16能够进行水平方向和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的回转，使用晶圆保持机构而在交接部14与多个处理模块5之间进行晶圆W的输送。处理模块5_1、5_2在输送区域15的两侧与输送区域15相邻地配置。具体而言，处理模块5_1配置于输送区域15的与送入送出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)正交的方向(Y轴方向)上的一侧(Y轴正方向侧)，处理模块5_2配置于输送区域15的与送入送出站2和处理站本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理，其中，该基板处理装置具备：/n处理容器，其进行所述干燥处理；以及/n多个保持部，其在所述处理容器的内部分别保持不同的所述基板。/n

【技术特征摘要】
20181122 JP 2018-2189001.一种基板处理装置，其使用超临界状态的处理流体进行使基板干燥的干燥处理，其中，该基板处理装置具备：
处理容器，其进行所述干燥处理；以及
多个保持部，其在所述处理容器的内部分别保持不同的所述基板。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述多个保持部在所述处理容器的内部在铅垂方向上隔开间隔地排列。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备：
第1盖体，其能够对在所述处理容器的第1侧面设置的第1开口进行开闭；以及
第2盖体，其能够对在所述处理容器的第2侧面设置的第2开口进行开闭，
所述多个保持部中的一部分的所述保持部设于所述第1盖体，
所述多个保持部中的另一部分的所述保持部设于所述第2盖体。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
在所述处理容器的内部，所述多个保持部的所述一部分的所述保持部和所述多个保持部的所述另一部分的所述保持部交错地排列。


5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述第2侧面配置在所述处理容器所具有的多个侧面中的与所述第1侧面相对的位置。


6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述第2侧面配置在所述处理容器所具有的多个侧面中的与所述第1侧面相对的位置。


7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备盖体，该盖体能够对在所述处理容器的侧面设置的开口进行开闭，
所述多个保持部设于所述盖体。


8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备盖体，该盖体能够对在上部开放的所述处理容器进行开闭，
所述多个保持部设于所述盖体。


9.根据权利要求2～8中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻富弘朗，枇杷聪，冈村聪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP