一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明专利技术通过提供光线控制结构，在光线控制结构上形成解离胶层，将Micro LED芯片设置在解离胶层上，在光线控制结构远离解离胶层的一侧提供目标光线，并控制光线控制结构中的目标区域透光，使得目标光线穿过目标区域照射到解离胶层上，以将目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上。通过光线控制结构使得施加的目标光线选择性透过并照射到解离胶层上，则目标区域处的解离胶层解离，目标区域处的Micro LED芯片可转移到待转基板上，从而实现Micro LED芯片的巨量转移。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
技术介绍
微型发光二极管(Micro-LED)是将传统LED(LightEmittingDiode，发光二极管)结构进行微小化和矩阵化，并采用集成电路工艺制成待转基板，将Micro-LED通过巨量转移技术转移至待转基板上，来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于Micro-LED技术的亮度、寿命、对比度、响应时间、能耗、可视角度和分辨率等各种指标都强于LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)技术，加上其具有自发光、结构简单、体积小和节能的优点，被视为下一代显示技术，得到了广泛的关注。然而，如何将大量的Micro-LED芯片转移到待转基板上，成为MicroLED芯片的巨量转移技术的重大挑战。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，以解决现有的无法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：/n提供光线控制结构；/n在所述光线控制结构上形成解离胶层；/n将Micro LED芯片设置在所述解离胶层上；/n在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线，并控制所述光线控制结构中的目标区域透光，使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上，以将所述目标区域处对应的Micro LED芯片转移至待转基板上。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供光线控制结构；
在所述光线控制结构上形成解离胶层；
将MicroLED芯片设置在所述解离胶层上；
在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线，并控制所述光线控制结构中的目标区域透光，使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上，以将所述目标区域处对应的MicroLED芯片转移至待转基板上。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光线控制结构为显示面板；所述提供光线控制结构的步骤，包括：
形成阵列基板；
形成彩膜基板；所述彩膜基板包括阵列排布的黑矩阵，任意相邻的两个所述黑矩阵之间可透过所述目标光线；
将所述阵列基板和所述彩膜基板进行对盒并注入液晶，以得到所述显示面板；
其中，所述显示面板被划分为像素开口区域和非像素开口区域，所述MicroLED芯片在所述显示面板上的正投影位于所述像素开口区域内。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线，并控制所述光线控制结构中的目标区域透光，使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上，以将所述目标区域处对应的MicroLED芯片转移至待转基板上的步骤之前，还包括：
将设置有所述MicroLED芯片和所述解离胶层的光线控制结构，与所述待转基板进行对位。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述解离胶层的厚度小于1毫米。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述光线控制结构远离所述解离胶层的一侧提供目标光线，并控制所述光线控制结构中的目标区域透光，使得所述目标光线穿过所述目标区域照射到所述解离胶层上，以将所述目标区域处对应的MicroLED芯片转移至待转基板上的步骤之前，还包括：
提供第一基板；
在所述第一基板上形成驱动功能层；所述驱动功能层包括多个驱动晶体管和多条公共电极线；
在所述驱动功能层上形成焊盘层，以得到所述待转...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，李海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11