【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多区气体分配系统及方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年12月19日提交的美国正式申请No.15/847,411的优先权，其全部内容以所有目的通过引用结合于此。
本技术涉及制造半导体的部件与设备。更具体而言，本技术涉及气体分配组件与操作方法。
技术介绍
通过在基板表面上产生具有错综复杂的图案的材料层的工艺，而使集成电路的制造成为可能。在基板上产生图案化材料，需要用于形成与移除材料的受控方法。用于激励反应物的等离子体的均匀度可直接影响最终产品。远程等离子体中的等离子体均匀度波动可造成基板边缘附近相对于中心的区域具有高蚀刻速率或沉积速率，反之亦然。已通过调整基板表面与喷淋头之间的间距来控制蚀刻均匀度，但蚀刻速率也被改变。取决于沿着基板表面的变异程度，可因蚀刻工艺所产生的不一致性而发生装置失效。此外已发现到，特别是在存在氟与其他电负性物质的情况下，等离子体均匀度会显现不稳定性。电负性物质可不轻易放弃电子，这使得维持对称的等离子体更为困难。沿着基板表面为对称的等离子体可使得蚀刻工艺更为均匀。因此需...
【技术保护点】
1.一种基板处理系统，包含：/n区带分配歧管，所述区带分配歧管具有第一歧管通道与第二歧管通道；/n区带分配板，所述区带分配板固定至所述区带分配歧管，其中所述区带分配板具有内部区通道与外部区通道，所述内部区通道被配置以接收来自所述第一歧管通道的第一气体，所述外部区通道被配置以接收来自所述第二歧管通道的第二气体；/n区带阻隔板，所述区带阻隔板固定至所述区带分配板，其中所述区带阻隔板具有顶部内部凹槽与顶部外部凹槽，所述顶部内部凹槽被配置以接收来自所述内部区通道的所述第一气体，所述顶部外部凹槽被配置以接收来自所述外部区通道的所述第二气体；/n其中所述区带阻隔板进一步包含底部内部凹槽...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171219 US 15/847,4111.一种基板处理系统，包含：
区带分配歧管，所述区带分配歧管具有第一歧管通道与第二歧管通道；
区带分配板，所述区带分配板固定至所述区带分配歧管，其中所述区带分配板具有内部区通道与外部区通道，所述内部区通道被配置以接收来自所述第一歧管通道的第一气体，所述外部区通道被配置以接收来自所述第二歧管通道的第二气体；
区带阻隔板，所述区带阻隔板固定至所述区带分配板，其中所述区带阻隔板具有顶部内部凹槽与顶部外部凹槽，所述顶部内部凹槽被配置以接收来自所述内部区通道的所述第一气体，所述顶部外部凹槽被配置以接收来自所述外部区通道的所述第二气体；
其中所述区带阻隔板进一步包含底部内部凹槽与底部外部凹槽，所述底部内部凹槽通过内部喷淋头部分流体耦接至所述顶部内部凹槽，所述底部外部凹槽通过外部喷淋头部分流体耦接至所述顶部外部凹槽；以及
面板，所述面板固定至所述区带阻隔板，所述面板具有通孔，所述通孔被配置以使所述第一气体与所述第二气体通过并进入等离子体区域。
2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述外部区通道包含形成在所述区带分配板的顶部中的沟槽，其中所述区带分配板包含多个底孔，所述多个底孔沿着以所述区带阻隔板为中心围绕的圆形平均设置，并且所述沟槽被配置以在起始点接收来自所述第二歧管通道的所述第二气体，并且其中对于所述多个底孔中的每一个，从所述起始点沿着所述沟槽到所述多个底孔中的每一个的路径长度是相同的。
3.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述区带分配歧管、所述区带分配板与所述区带阻隔板被配置而使得所述第一气体与所述第二气体不会混合，直到进入所述等离子体区域。
4.如权利要求1所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含喷淋头，所述喷淋头平行于所述面板，其中所述等离子体区域设置在所述面板与所述喷淋头之间。
5.如权利要求4所述的基板处理系统，其中所述等离子体区域邻接所述面板与所述喷淋头中的每一个。
6.如权利要求4所述的基板处理系统，所述基板处理系统进一步包含基板处理区域，所述基板处理区域在所述喷淋头的与所述等离...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·辛格，K·D·沙茨，A·曹，M·威杰库恩，K·基欧希斯，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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