半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置的制造方法。[课题]削减导体装置的制造工序。[解决方案]半导体装置的制造方法包括：第1层叠工序、第2层叠工序和脱离工序。第1层叠工序中，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。第2层叠工序中，在至少凹部的底部和侧壁由聚合物膜所覆盖的状态下，在基板上层叠封固膜。脱离工序中，将基板加热至第1温度，从而使聚合物膜解聚，使封固膜的下层的聚合物膜借助封固膜而脱离。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开的各种方面和实施方式涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
例如，下述专利文献1中公开了如下技术：在多层结构的半导体装置中，利用作为由层间绝缘膜埋入基板上的凹部时的埋入不良形成的空间(气隙)，从而减小层间绝缘膜的相对介电常数。形成有气隙的层间绝缘膜的上表面通过化学机械研磨(CMP)法而平坦化。而且，层间绝缘膜上层叠有隔离膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-54307号公報
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能削减半导体装置的制造工序的半导体装置的制造方法。用于解决问题的方案本公开的一方面为一种半导体装置的制造方法，其包括：第1层叠工序、第2层叠工序和脱离工序。第1层叠工序中，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜。第2层叠工序中，在至少凹部的底部和侧壁由聚合物膜所覆盖的状态下，在基板上层叠封固膜。脱离工序中，将基板加热至第1温度，从而使聚合物膜解聚，使封固膜的下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：/n第1层叠工序，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜；/n第2层叠工序，在至少所述凹部的底部和侧壁由所述聚合物膜所覆盖的状态下，在所述基板上层叠封固膜；和，/n脱离工序，将所述基板加热至第1温度，从而使所述聚合物膜解聚，使所述封固膜的下层的所述聚合物膜借助所述封固膜而脱离。/n

【技术特征摘要】
20190311 JP 2019-0438411.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
第1层叠工序，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲键的聚合物的膜；
第2层叠工序，在至少所述凹部的底部和侧壁由所述聚合物膜所覆盖的状态下，在所述基板上层叠封固膜；和，
脱离工序，将所述基板加热至第1温度，从而使所述聚合物膜解聚，使所述封固膜的下层的所述聚合物膜借助所述封固膜而脱离。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述第1层叠工序后，包括如下...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽秀二，山口达也，李善佶，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP