成膜方法和热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜方法和热处理装置。[课题]提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，在通过前述热处理形成的前述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
成膜方法和热处理装置
本公开涉及成膜方法和热处理装置。
技术介绍
已知有如下技术：在孔、沟槽等槽中交替重复成膜和蚀刻，进行成膜使得在槽中埋入硅膜(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-239717号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。用于解决问题的方案本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，在通过前述热处理形成的前述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。专利技术的效果根据本公开，降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜。附图说明图1为示出第1实施方式的成膜方法的工序剖视图。图2为用于说明第1实施方式的成膜方法的效果的图(1)。图3为用于说明第1实施方式的成膜方法的效果的图(2)。图4为示出第2实施方式的成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜方法，其具备如下工序：/n在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；/n对所述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，/n在通过所述热处理形成的所述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。/n

【技术特征摘要】
20190313 JP 2019-0463571.一种成膜方法，其具备如下工序：
在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；
对所述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工序；和，
在通过所述热处理形成的所述多晶半导体膜上，成膜为多晶半导体膜的工序。


2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，成膜为所述非晶态半导体膜的工序为保形地形成所述非晶态半导体膜的工序。


3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，具备：在成膜为所述非晶态半导体膜的工序与进行所述热处理的工序之间进行、且以所述凹部的下部的膜厚变得比上部还厚的方式对所述非晶态半导体膜进行蚀刻的工序。


4.根据权利要求3所述的成膜方法，其中，多次重复成膜为所述非晶态半导体膜的工序、进行所述蚀刻的工序和进行所述热处理的工序。


5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，具备：在通过所述热处理形成的所述多晶半导体膜的表面形成用于抑制晶体生长的抑制层的工序。


6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，形成所述抑制层的工序是对通过所述热处理形成的所述多晶半导体膜的表面进行改性的工序。


7.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，形成所述抑制层的工序是对通过所述热处理形成的所述多晶半导体膜的表面进行氧化的工序。

【专利技术属性】
技术研发人员：本山丰，林宽之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP