清洁腔室的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术是关于用于清洁腔室的一种装置和方法，尤其是关于用于清洁腔室的装置和方法，其中此装置和方法能够在薄膜沉积于基板时清洁被污染的腔室。根据示例性实施例的腔室清洁方法为一种用于清洁沉积氧化锌的腔室的方法，此方法包含：供应含氯气体和含氢气体到腔室中；使独立供应的气体于腔室中活化并互相反应以产生反应气体；以及使用反应气体第一次清洁腔室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁腔室的装置和方法
本专利技术是关于用于清洁腔室的一种装置和方法，尤其是关于用于清洁腔室的装置和方法，其中此装置和方法能够在薄膜沉积于基板时清洁被污染的腔室。
技术介绍
一般来说，半导体元件由在基板上沉积多种材料并图案化所得的基板来制造而成。为此，需要进行多种制程阶段，例如沉积制程(depositionprocess)、蚀刻制程(etchingprocess)、清洁制程(cleaningprocess)以及干燥制程(dryingprocess)。这里，进行沉积制程是用来在基板上形成具有作为半导体元件所需性质的薄膜。然而，在形成薄膜的沉积制程中，副产物不只沉积在基板上所欲的区域，也沉积在进行沉积制程的腔室中。当沉积于腔室中的副产物的厚度增加时，副产物会剥离，而导致粒子的产生。以如此方式产生的粒子会进入形成于基板上的薄膜中或附着在薄膜的表面上。因此，粒子会造成半导体的缺陷并增加产品的不良率。因此，在副产物剥离之前，必须移除沉积在腔室内的这些副产物。特别是在进行金属有机气相沉积法(metal-organicchemicalvapor本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于清洁沉积氧化锌的腔室的腔室清洁方法，所述方法包含：/n供应含氯气体和含氢气体到所述腔室中；/n使独立供应的所述含氯气体和所述含氢气体在所述腔室中活化并彼此反应，以产生反应气体；以及/n使用所述反应气体第一次清洁所述腔室。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180208 KR 10-2018-0015852;20190131 KR 10-2019-001.一种用于清洁沉积氧化锌的腔室的腔室清洁方法，所述方法包含：
供应含氯气体和含氢气体到所述腔室中；
使独立供应的所述含氯气体和所述含氢气体在所述腔室中活化并彼此反应，以产生反应气体；以及
使用所述反应气体第一次清洁所述腔室。


2.根据权利要求1所述的腔室清洁方法，其中，所述供应含氯气体和含氢气体的步骤中，所述含氯气体和所述含氢气体是独立地被供应。


3.根据权利要求1所述的腔室清洁方法，其中，所述反应气体包含氯化氢气体。


4.根据权利要求1所述的腔室清洁方法，其中，在所述产生反应气体的步骤中，所述含氯气体在气体注入部的外部被活化，而所述含氢气体从所述气体注入部的内部被活化。


5.根据权利要求1所述的腔室清洁方法，其中，在所述产生反应气体的步骤中，所述含氯气体和所述含氢气体于相互具有不同尺寸的活化区域被活化。


6.根据权利要求1所述的腔室清洁方法，其中，在所述产生反应气体的步骤中，在所述腔室的内部活化的所述含氯气体和所述含氢气体反应于所述气体注入部的外部。


7.根据权利要求1所述的腔室清洁方法，还包含：
用活化的含氢清洁气体第二次清洁所述腔室；以及
用活化的含氧清洁气体第三次清洁所述腔室。


8.根据权利要求7所述的腔室清洁方法，其中，
第二次清洁的步骤包含移除残留在所述腔室中的氯成分，以及
第三次清洁的步骤包含移除残留在所述腔室中的氢成分。


9.根据权利要求8所述的腔室清洁方法，其中，
所述移除氯成分的步骤通过在所述腔室中活化所述含氢清洁气体来进行，以及
所述移除氢成分的步骤通过在所述腔室中活化所述含氧清洁气体来进行。


10.根据权利要求8所述的腔室清洁方法，其中，所述含氢清洁气体与所述含氢气体通过相同的路径被供应到所述腔室中。


11.根据权利要求7所述的腔室清洁方法，其中，在150-350℃的温度下进行第一次清洁的步骤、第二次清洁的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东奂，金宰湖，金显镒，尹豪振，李栽玩，林秉宽，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR