晶圆背面的处理方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆背面的处理方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆背面形成一个或多个应力薄膜层，所述一个或多个应力薄膜层中包括至少一个导电层；对所述晶圆背面进行湿法刻蚀，去除所述一个或多个应力薄膜层中的至少一个应力薄膜层，在所述晶圆背面形成裸露的导电层或残留的导电物质；以及对所述晶圆背面进行氧化处理，在所述裸露的导电层或残留的导电物质上方形成氧化层。根据该处理方法可以减少在后续制程中由于裸露的导电层或残留的导电物质吸附带电粒子而造成产品表面的缺陷，提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆背面的处理方法
本专利技术涉及集成电路的制造领域，尤其涉及晶圆加工工艺中的一种晶圆背面的处理方法。
技术介绍
晶圆(Wafer)主要指在半导体领域用于制作半导体电路的硅晶片。随着半导体技术的快速发展，半导体产品的应用范围越来越广泛，包括集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、电源等领域。为了提高生产效率、增加产能，对半导体工艺的各个步骤、制程提出了更高的要求。以3DNANDFlash存储器件为代表的三维存储器由于其体积小、集成度高的明显优势获得了越来越多的关注。在制造三维存储器的工艺过程中，由于环境中的微小颗粒附着在三维存储器表面而影响三维存储器的电气性能，造成产品缺陷，降低了三维存储器产品的良率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种晶圆背面的处理方法，避免晶圆背面吸附带电粒子。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种晶圆背面的处理方法，其特征在于，包括：提供晶圆，在所述晶圆背面形成一个或多个应力薄膜层，所述一个或多个应力薄膜层中包括至少一个导电层；对所述晶圆背面进行湿法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆背面的处理方法，其特征在于，包括：/n提供晶圆，在所述晶圆背面形成一个或多个应力薄膜层，所述一个或多个应力薄膜层中包括至少一个导电层；/n对所述晶圆背面进行湿法刻蚀，去除所述一个或多个应力薄膜层中的至少一个应力薄膜层，在所述晶圆背面形成裸露的导电层或残留的导电物质；以及/n对所述晶圆背面进行氧化处理，在所述裸露的导电层或残留的导电物质上方形成氧化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面的处理方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，在所述晶圆背面形成一个或多个应力薄膜层，所述一个或多个应力薄膜层中包括至少一个导电层；
对所述晶圆背面进行湿法刻蚀，去除所述一个或多个应力薄膜层中的至少一个应力薄膜层，在所述晶圆背面形成裸露的导电层或残留的导电物质；以及
对所述晶圆背面进行氧化处理，在所述裸露的导电层或残留的导电物质上方形成氧化层。


2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述多个应力薄膜层中包括介质层、导电层和绝缘层中的一个或多个的组合。


3.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，对所述晶圆背面进行湿法刻蚀之后包括：空转所述晶圆，去除所述晶圆背面残留的用于湿法刻蚀的刻蚀液。


4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，对所述晶圆背面进行氧化处理包括：使用氧化试剂对所述裸露...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洪敏，张宏权，张雅婷，刘明强，王瑾，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42