【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备。
技术介绍
1、随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2d或者平面nand闪存的存储密度接近上限。为克服2d或者平面nand闪存带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器(3d nand)，通过将存储单元三维地布置在衬底之上来提高存储密度。
技术实现思路
1、本申请的实施例采用如下技术方案：
2、一方面，本申请实施例提供一种半导体结构包括堆叠结构和沟道结构：堆叠结构包括交替层叠设置的多个第一介质层和多个栅极层，每一栅极层包括同层设置的第一栅极层和第二栅极层，第一栅极层和第二栅极层间隔的设置；沟道结构包括第一沟道结构和第二沟道结构，第一沟道结构和第二沟道结构均贯穿堆叠结构，第一沟道结构穿过各栅极层中的第一栅极层，第二沟道结构穿过各栅极层中的第二栅极层。
3、在一些实施例中，堆叠结构还包括第一导电块，第一导电块位于同层设置的第一栅极层和第二栅...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括第一导电块，所述第一导电块位于同层设置的所述第一栅极层和所述第二栅极层之间，所述第一栅极层和所述第二栅极层通过所述第一导电块电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层设置在所述第一栅极层和所述第一介质层之间，所述第二粘接层设置在所述第二栅极层和所述第一介质层之间，所述第一粘接层和所述第二粘接层与对应的所述第一栅极层和所述第二栅极层之间的所述第一导电块接触。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括第一导电块，所述第一导电块位于同层设置的所述第一栅极层和所述第二栅极层之间，所述第一栅极层和所述第二栅极层通过所述第一导电块电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层设置在所述第一栅极层和所述第一介质层之间，所述第二粘接层设置在所述第二栅极层和所述第一介质层之间，所述第一粘接层和所述第二粘接层与对应的所述第一栅极层和所述第二栅极层之间的所述第一导电块接触。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一粘接层、所述第二粘接层以及所述第一导电块的材料相同。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构包括第一堆叠结构和第二堆叠结构，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构沿垂直于层叠的方向间隔设置；
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一堆叠结构中靠近所述隔离结构的所述沟道结构与所述第二堆叠结构中靠近所述隔离结构的所述沟道结构之间的最短距离为第一距离，所述第一堆叠结构中相邻的所述第一沟道结构和所述第二沟道结构之间的最短距离为第二距离，所述第一距离大于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王建东，孙文斌，任一鸣，郑晓芬，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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