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本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在减小形成栅极层的难度。半导体结构中第一沟道结构贯穿第一介质层和第一栅极层，第二沟道结构贯穿第一介质层和第二栅极层，第一栅极层和第二栅极层同层且间隔...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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