【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种存储器器件及其制造方法。
技术介绍
1、垂直沟道晶体管相较于平面型晶体管所占用的面积更小，因而可以用来提高存储器器件的集成度。以动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)为例，dram存储阵列可以包括阵列排布的存储单元，每个存储单元可以包括垂直沟道晶体管以及与垂直沟道晶体管连接的沿竖直方向延伸的电容结构。除了存储阵列以外，存储器器件还包括与存储阵列耦接且被配置为控制存储阵列的外围电路，如何设置外围电路以进一步提高存储器器件的集成度成为了目前亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器器件及其制造方法。
2、为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供一种存储器器件，所述存储器器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一区域，所述第一区域包括：
4、导电线，所述导电线包括两个沿第一方向延伸的第一部分和连接两个...
【技术保护点】
1.一种存储器器件，其特征在于，所述存储器器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一区域，所述第一区域包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第一区域还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，所述电阻结构包括掺杂的半导体材料。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，所述掺杂的半导体材料的掺杂浓度大于1×1015cm-3。
5.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，所述掺杂的半导体材料包括N型材料或者P型材料。
6.根据权利要求2所述的存储器器件，其特...
【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，其特征在于，所述存储器器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一区域，所述第一区域包括：
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第一区域还包括：
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，所述电阻结构包括掺杂的半导体材料。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，所述掺杂的半导体材料的掺杂浓度大于1×1015cm-3。
5.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，所述掺杂的半导体材料包括n型材料或者p型材料。
6.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，与所述导电线的两个所述第一部分中的一个所述第一部分连接的所述电阻结构的数量等于与所述导电线的两个所述第一部分中的另一个所述第一部分连接的所述电阻结构的数量。
7.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，所述第一区域还包括：
8.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述导电线的两个所述第一部分在所述第一方向上的尺寸相同。
9.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述导电线包括金属硅化物。
10.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述存储器器件还包括：
11.根据权利要求10所述的存储器器件，其特征在于，所述第二区域还包括：
12.根据权利要求11所述的存储器器件，其特征在于，所述存储单元包括：
13.根据权利要求10所述的存储器器件，其特征在于，所述第二区域沿所述第一方向对称分布于所述第一区域的两侧；或者，
14.一种存储器器件，其特征在于，所述存储器器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一区域，所述第一区域包括至少一个子区域，每个所述子区域包括：
15.根据权利要求14所述的存储器器件，其特征在于，每个所述子区域还包括：
16.根据权利要求15所述的存储器器件，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯金龙，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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