一种半导体结构及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上外延形成锗膜，在锗膜上外延生长砷化镓膜，这样将锗膜作为硅衬底和砷化镓膜层之间的缓冲层，改善硅衬底和砷化镓膜层之间的晶格失配，减少砷化镓膜层中的反向畴，减少砷化镓膜层中的缺陷，提高基于砷化镓膜层的器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件的多样化，需要多种半导体材料组合构成半导体器件，在一些场景中，需要利用砷化镓(GaAs)材料制备探测器、激光器等，因此具有在硅(Si)衬底上形成砷化镓薄膜的需求，然而硅和砷化镓的晶格失配较严重，因此在硅衬底上外延生长的砷化镓膜层缺陷较多，反向畴(antiphasedomin，APD)严重，基于这样的砷化镓膜层制备的光电器件暗电流较大，噪声大，难以在硅衬底上得到大面积的满足需求的砷化镓膜层。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，提高薄膜质量。为实现上述目的，本申请有如下技术方案：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底上外延形成锗膜；在所述锗膜上外延形成砷化镓膜。可选的，所述在所述硅衬底上外延形成锗膜，包括：在所述硅衬底上形成第一介质层，以及贯穿所述第一介质层的第一沟槽；沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供硅衬底；/n在所述硅衬底上外延形成锗膜；/n在所述锗膜上外延形成砷化镓膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上外延形成锗膜；
在所述锗膜上外延形成砷化镓膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述硅衬底上外延形成锗膜，包括：
在所述硅衬底上形成第一介质层，以及贯穿所述第一介质层的第一沟槽；
沉积得到锗材料层，以填充所述第一沟槽以及覆盖所述第一介质层；
对所述锗材料层进行平坦化，以得到所述锗膜。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅层或氮化硅层。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽为平行设置的多个沟槽。


5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述在所述锗膜上外延形成砷化镓膜，包括：
在所述锗膜上低温生长第一砷化镓层；所述低温范围为360-460℃；
在所述第一砷化镓膜上高温生长第二砷化镓层；所述高温范围为600-700℃。

【专利技术属性】
技术研发人员：亨利·H·阿达姆松，王桂磊，杜勇，徐步青，黎奔，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44