一种半导体结构及其制造方法技术

本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供锗衬底，在锗衬底上形成砷化镓层，在砷化镓层上形成铟镓磷层。这样砷化镓层能够可以作为锗衬底和铟镓磷层之间的缓冲层，改善锗衬底和铟镓磷层之间的晶格失配，减少铟镓磷层中的反向畴，减少铟镓磷层中的缺陷，提高基于铟镓磷层的器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件的多样化，需要多种半导体材料组合构成半导体器件，在一些场景中，需要利用铟镓磷(InGaP)材料制备光电器件。然而，在衬底上集成生长铟镓磷结构，往往由于晶格失配大，导致外延生长的铟镓磷膜缺陷较多，形成的光电器件暗电流大，噪声大。
技术实现思路
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，提高薄膜质量。为实现上述目的，本申请有如下技术方案：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供锗衬底；在所述锗衬底上外延形成砷化镓层；在所述砷化镓层上外延形成铟镓磷层。可选的，所述在所述砷化镓层上外延形成铟镓磷层，包括：在所述砷化镓层上形成第一介质层，以及贯穿所述第一介质层的第一沟槽；沉积铟镓磷材料层以填充所述第一沟槽，覆盖所述第一介质层；对所述铟镓磷材料层进行平坦化，以得到所述铟镓磷层。可选的，所述第一介质层为氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供锗衬底；/n在所述锗衬底上外延形成砷化镓层；/n在所述砷化镓层上外延形成铟镓磷层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供锗衬底；
在所述锗衬底上外延形成砷化镓层；
在所述砷化镓层上外延形成铟镓磷层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述砷化镓层上外延形成铟镓磷层，包括：
在所述砷化镓层上形成第一介质层，以及贯穿所述第一介质层的第一沟槽；
沉积铟镓磷材料层以填充所述第一沟槽，覆盖所述第一介质层；
对所述铟镓磷材料层进行平坦化，以得到所述铟镓磷层。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅层或氮化硅层。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽为平行设置的多个沟槽。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述锗衬底上外延形成砷化镓层，包括：
在所述锗衬底上低温生长第一砷化镓膜，所述低温范围为360-460℃；
在所述第一砷化镓膜上高温...

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂磊，黎奔，亨利·H·阿达姆松，杜勇，徐步青，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44