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本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供锗衬底，在锗衬底上形成砷化镓层，在砷化镓层上形成铟镓磷层。这样砷化镓层能够可以作为锗衬底和铟镓磷层之间的缓冲层，改善锗衬底和铟镓磷层之间的晶格失配，减少铟镓磷层中的反向畴，减少铟镓磷层中...该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所授权不得商用。