蚀刻方法和蚀刻装置制造方法及图纸

蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中被处理体具有：处理对象膜；形成于处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜及各凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态对第二膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，其在使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态下对第一膜进行蚀刻，由此使各凸部的顶部和多个凸部之间的处理对象膜露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法和蚀刻装置
本专利技术涉及蚀刻方法和蚀刻装置。
技术介绍
一直以来，作为通过蚀刻进行的图案化技术，已知有自对准型多重图案(SAMP：Self-AlignedMultiPatterning)。在SAMP中，例如使用具有处理对象膜、芯层(mandrellayer)和间隔膜的晶片，其中该芯层形成于处理对象膜上并由多个凸部构成，该间隔膜覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜和各凸部。在SAMP中，首先，对间隔膜实施蚀刻使芯层的各凸部和多个凸部之间的处理对象膜露出。接着，在SAMP中，将露出的芯层的各凸部选择性地除去。之后，在SAMP中，将残存的间隔膜作为掩模对处理对象膜进行蚀刻。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-099938号公报专利文献2：日本特开2012-178378号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供能够改善掩模的肩部部分的形状的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一方式的蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中上述被处理体具有：处理对象膜；形成于上述处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖上述多个凸部之间露出的上述处理对象膜及各上述凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使上述第二膜残存于上述第一膜中覆盖各上述凸部的侧面的部分的状态对上述第二膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，其在使上述第二膜残存于上述第一膜中覆盖各上述凸部的侧面的部分的状态下对上述第一膜进行蚀刻，由此使各上述凸部的顶部和上述多个凸部之间的上述处理对象膜露出。专利技术效果依照本专利技术，起到能够改善掩模的肩部部分的形状这样的效果。附图说明图1是表示一实施方式的蚀刻装置的概要的一例的截面图。图2是表示隙缝板的一例的平面图。图3是表示电介质窗的一例的平面图。图4是图3的A-A截面图。图5是表示在图3所示的电介质窗上设置有图2所示的隙缝板的状态的平面图。图6是表示一实施方式中的晶片结构的一例的截面图。图7是表示一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的流程图。图8A是用于说明一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的图。图8B是用于说明一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的图。图9是用于进一步说明一实施方式中的第二蚀刻步骤的图。图10是表示另一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的流程图。图11A是用于说明另一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的图。图11B是用于说明另一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的图。具体实施方式下面，参照附图，对各种实施方式详细地进行说明。此外，在各附图中对相同或相应的部分标注相同的附图标记。一直以来，作为通过蚀刻进行的图案化技术，已知有自对准型多重图案(SAMP：Self-AlignedMultiPatterning)。在SAMP中，例如使用具有处理对象膜、芯层和间隔膜的晶片，其中该芯层形成于处理对象膜上并多个凸部构成，该间隔膜覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜和各凸部。在SAMP中，首先，对间隔膜实施蚀刻使芯层的各凸部和多个凸部之间的处理对象膜露出。接着，在SAMP中，将露出的芯层的各凸部选择性地除去。之后，在SAMP中，将残存的间隔膜作为掩模对处理对象膜进行蚀刻。但是，在上述的技术中，存在对间隔膜实施蚀刻使芯层的各凸部和处理对象膜露出时，残存的间隔膜的肩部部分被蚀刻而变圆的问题。即，在对间隔膜实施蚀刻使芯层的各凸部和处理对象膜露出的阶段，在处理对象膜上残存露出了顶部的芯层的各凸部，在芯层的各凸部的两侧残存间隔膜。此处，有时间隔膜的上表面中夹着芯层的各凸部的两侧部分的肩部部分变圆。其结果，例如存在这样的可能性，在间隔膜的肩部部分相对于处理对象膜垂直方向的掩模厚度变薄，在之后的蚀刻中作为掩模的选择性等的功能被破坏。此外，在SAMP中，选择性地除去了已露出的芯层的各凸部后残存的间隔膜并非左右对称的，也没有形成垂直的矩形形状，因此存在在之后的蚀刻中无法获得均匀的蚀刻形状的可能性。[蚀刻装置10的结构]图1是表示一实施方式的蚀刻装置10的概要的一例的截面图。蚀刻装置10例如如图1所示具有腔室12。腔室12提供处理空间S，该处理空间S用于收纳作为被处理体的一例的晶片W。腔室12具有侧壁12a、底部12b和顶部12c。侧壁12a具有以Z轴为轴线的大致圆筒形状。Z轴例如在铅垂方向上通过后述的载置台的中心。底部12b设置于侧壁12a的下端侧。此外，侧壁12a的上端部设有开口。侧壁12a的上端部的开口被电介质窗18封闭。电介质窗18被夹持在侧壁12a的上端部与顶部12c之间。在电介质窗18与侧壁12a的上端部之间可以有密封部件SL。密封部件SL例如是O形环，有助于腔室12的密闭。在腔室12内，在电介质窗18的下方设置有载置台20。载置台20包括下部电极LE和静电吸盘ESC。下部电极LE例如包括由铝等形成的大致圆板状的第一板22a和第二板22b。第二板22b由筒状的支承部SP支承。支承部SP从底部12b沿垂直上方延伸。第一板22a设置于第二板22b上，与第二板22b电导通。下部电极LE经由供电杆PFR和匹配单元MU与高频电源RFG电连接。高频电源RFG将高频偏置供给到下部电极LE。由高频电源RFG产生的高频偏置的频率是适合于控制被吸引到晶片W的离子的能量的规定频率，例如为13.56MHz。匹配单元MU收纳有在高频电源RFG侧的阻抗与主要为电极、等离子体、腔室12等的负载侧的阻抗之间取得匹配的匹配器。该匹配器中例如包含自偏置生成用的隔直电容器等。静电吸盘ESC设置于第一板22a上。静电吸盘ESC具有用于在处理空间S侧载置晶片W的载置区域MR。载置区域MR是与Z轴大致正交的大致圆形的区域，具有与晶片W的直径大致相同的直径或者比晶片W的直径稍小的直径。此外，载置区域MR构成载置台20的上表面，该载置区域MR的中心，即载置台20的中心位于Z轴上。静电吸盘ESC利用静电吸附力保持晶片W。静电吸盘ESC包括设置于电介质内的吸附用电极。静电吸盘ESC的吸附用电极经由开关SW和包覆线CL与直流电源DCS连接。静电吸盘ESC利用由从直流电源DCS施加的直流电压产生的库伦力，在静电吸盘ESC的上表面吸附保持晶片W。在静电吸盘ESC的径向外侧设置有以环状包围晶片W的周围的聚焦环FR。在第一板22a的内部形成有环状的流路24。从冷却单元经由配管PP1对流路24供给致冷剂。供给到流路24的致冷剂经由配管PP3被回收到冷却单元。而且，在蚀刻装置10中，来自导热气体供给部的导热气体例如He气体等，经由供给管PP2被供给到静电吸盘ESC的上表面与晶片W的背面之间。在载置台20的外周的外侧，即载置台20与侧壁12a之间形成有空间，该空间形成平面观察时具有环形形状的排气通路VL。在排气通路VL与处理空间S之间设置有环状的挡板26，该挡板26形成有多个贯通孔。排气通路VL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：/n在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中所述被处理体具有：处理对象膜；形成于所述处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖所述多个凸部之间露出的所述处理对象膜及各所述凸部的第一膜；/n第一蚀刻步骤，其以使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态对所述第二膜进行蚀刻；以及/n第二蚀刻步骤，其在使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态下对所述第一膜进行蚀刻，由此使各所述凸部的顶部和所述多个凸部之间的所述处理对象膜露出。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180723 JP 2018-1378411.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：
在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中所述被处理体具有：处理对象膜；形成于所述处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖所述多个凸部之间露出的所述处理对象膜及各所述凸部的第一膜；
第一蚀刻步骤，其以使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态对所述第二膜进行蚀刻；以及
第二蚀刻步骤，其在使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态下对所述第一膜进行蚀刻，由此使各所述凸部的顶部和所述多个凸部之间的所述处理对象膜露出。


2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：
所述第二蚀刻步骤蚀刻所述第一膜，以使在所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分残存的所述第二膜的高度，成为各所述凸部的高度以上。


3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：
设在所述第二膜被蚀刻后所述第一膜中覆盖各所述凸部的顶部的部分的膜厚为A1，并设在所述第二膜被蚀刻后在所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分残存的所述第二膜的、沿所述第一膜的该部分的假想面中的膜厚为B1时，
在所述第二蚀刻步骤中，所述第一膜相对于所述第二膜的选择比...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳泽佑典，泷野裕辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP