等离子体处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

技术编号:26045336 阅读:47 留言:0更新日期:2020-10-23 21:25
一个例示的实施方式的等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括:对腔室内供给非活性气体的步骤;和使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中,选择性地实施两个处理中的一者以从腔室内的非活性气体生成等离子体,该两个处理是:将第一高频电功率供给到等离子体处理装置的上部电极的处理;和将第二高频电功率供给到基片支承台的下部电极的处理。此外,在进行沉积的步骤中,对上部电极施加负极性的偏置电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理方法和等离子体处理装置
本专利技术的例示的实施方式涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
在电子器件的制造中进行等离子体蚀刻。在等离子体蚀刻中,掩模的图案被转印到基底膜。在掩模形成有开口。掩模的开口的尺寸有时在实施等离子体蚀刻之前被缩小。在专利文献1和专利文献2中,记载了使掩模的开口的尺寸缩小的技术。在专利文献1和专利文献2记载的技术中,使用了电容耦合型的等离子体处理装置。在等离子体处理装置的腔室内,生成等离子体。为了使来自等离子体的离子撞击到等离子体处理装置的上部电极,将负极性的直流电压施加到等离子体处理装置的上部电极。通过离子的撞击,从上部电极释放硅颗粒。释放出的颗粒沉积在基片上。其结果是,掩模的开口的尺寸被缩小。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014-82228号公报专利文献2:日本特开2018-93189号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题寻求使掩模的开口的长度方向上的尺寸以及该开口的与长度方向正交的方向上的尺寸中的一者选择性地缩小的技术。用于解决技术问题的技术方案在一个例示的实施方式中,提供一种对基片实施的等离子体处理方法。基片具有含硅膜和掩模。掩模形成于含硅膜上。在掩模形成有开口。开口具有长度方向。等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。基片支承台设置于等离子体处理装置的腔室内。等离子体处理方法包括对腔室内供给非活性气体的步骤。等离子体处理方法还包括使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中,选择性地实施两个处理中的一者以从非活性气体生成等离子体,两个处理是:将第一高频电功率从第一高频电源供给到等离子体处理装置的上部电极的处理;和将第二高频电功率从第二高频电源供给到基片支承台的下部电极的处理。第二高频电功率具有比第一高频电功率的频率低的频率。并且,在进行沉积的步骤中,对上部电极施加负极性的偏置电压,以从等离子体使正离子撞击到上部电极而从上部电极释放含硅材料。专利技术效果依照一个例示的实施方式,能够使掩模的开口的长度方向上的尺寸以及该开口的与长度方向正交的方向上的尺寸中的一者选择性地缩小。附图说明图1是表示一个例示的实施方式的等离子体处理方法的流程图。图2的(a)是表示一个例子的基片的一部分的平面图,图2的(b)是表示沿图2的(a)的B-B线得到的截面图,图2的(c)是表示沿图2的(a)的C-C线得到的截面图。图3是概要地表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。图4的(a)是表示实施了步骤ST2后的状态的一个例子的基片的一部分的平面图,图4的(b)是表示沿图4的(a)的B-B线得到的截面图,图4的(c)是表示沿图4的(a)的C-C线得到的截面图。图5的(a)是表示实施了步骤ST2后的状态的一个例子的基片的一部分的平面图,图5的(b)是表示沿图5的(a)的B-B线得到的截面图,图5的(c)是表示沿图5的(a)的C-C线得到的截面图。图6的(a)是表示实施了步骤ST3后的状态的一个例子的基片的截面图,图6的(b)是表示实施了步骤ST3后的状态的一个例子的基片的另一截面图。图7的(a)是表示实施了步骤ST3后的状态的一个例子的基片的截面图,图7的(b)是表示实施了步骤ST3后的状态的一个例子的基片的另一截面图。图8的(a)是表示实施了步骤ST4后的状态的一个例子的基片的截面图,图8的(b)是表示实施了步骤ST4后的状态的一个例子的基片的另一截面图。图9的(a)是表示实施了步骤ST4后的状态的一个例子的基片的截面图,图9的(b)是表示实施了步骤ST4后的状态的一个例子的基片的另一截面图。图10的(a)是表示实施了步骤ST5后的状态的一个例子的基片的截面图,图10的(b)是表示实施了步骤ST5后的状态的一个例子的基片的另一截面图。图11的(a)是表示实施了步骤ST5后的状态的一个例子的基片的截面图,图11的(b)是表示实施了步骤ST5后的状态的一个例子的基片的另一截面图。图12是表示在实验中得到的测量值的图。具体实施方式下面,对各种例示的实施方式进行说明。在一个例示的实施方式中,提供一种对基片实施的等离子体处理方法。基片具有含硅膜和掩模。掩模形成于含硅膜上。在掩模形成有开口。开口具有长度方向。等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。基片支承台设置于等离子体处理装置的腔室内。等离子体处理方法包括对腔室内供给非活性气体的步骤。等离子体处理方法还包括使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中,选择性地实施两个处理中的一者以从非活性气体生成等离子体,两个处理是:将第一高频电功率从第一高频电源供给到等离子体处理装置的上部电极的处理;和将第二高频电功率从第二高频电源供给到基片支承台的下部电极的处理。第二高频电功率具有比第一高频电功率的频率低的频率。并且,在进行沉积的步骤中,对上部电极施加负极性的偏置电压,以从等离子体使正离子撞击到上部电极而从上部电极释放含硅材料。在进行沉积的步骤中,在将第一高频电功率供给到上部电极的状态下,当对上部电极施加负极性的偏置电压时,利用含硅材料,将掩模的开口的长度方向的尺寸选择性地被缩小。另一方面,在进行沉积的步骤中,在将第二高频电功率供给到下部电极的状态下,当对上部电极施加负极性的偏置电压时,利用含硅材料,将掩模的开口的与长度方向正交的方向的尺寸选择性地缩小。在另一例示的实施方式中,提供一种对基片实施的等离子体处理方法。基片具有含硅膜和掩模。掩模形成于含硅膜上。在掩模形成有开口。开口具有长度方向。等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括对腔室内供给非活性气体的步骤。等离子体处理方法还包括使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中,将第二高频电功率从第二高频电源供给到基片支承台的下部电极,以从非活性气体生成等离子体。第二高频电功率具有比第一高频电功率的频率低的频率,该第一高频电功率由与等离子体处理装置的上部电极电连接的第一高频电源产生。并且,在进行沉积的步骤中,对上部电极施加负极性的偏置电压,以从等离子体使正离子撞击到上部电极而从上部电极释放含硅材料。另一例示的实施方式的等离子体处理方法中,如上所述,在将第二高频电功率供给到下部电极的状态下,对上部电极施加负极性的偏置电压。其结果是,利用含硅材料,将掩模的开口的与长度方向正交的方向的尺寸选择性地缩小。在一个例示的实施方式中,也可以为,负极性的偏置电压是直流电压。在一个例示的实施方式中,也可以为,构成上部电极的含硅材料由硅构成。在一个例示的实施方式中,也可以为,掩模是抗蚀剂掩模。也可以为,含硅膜是含有硅的防反射膜。也可以为,基片还具有在其上形成有防反射膜的有机膜。在一个例示的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对基片实施的等离子体处理方法,其特征在于:/n所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模,在该掩模形成有具有长度方向的开口,/n该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施,/n所述等离子体处理方法包括:/n对所述腔室内供给非活性气体的步骤;以及/n使含硅材料沉积在所述基片上的步骤,该步骤选择性地实施两个处理中的一者以从所述非活性气体生成等离子体,所述两个处理是:将第一高频电功率从第一高频电源供给到所述等离子体处理装置的上部电极的处理;和将具有比所述第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极的处理,并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压,以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180808 JP 2018-1492561.一种对基片实施的等离子体处理方法,其特征在于:
所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模,在该掩模形成有具有长度方向的开口,
该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施,
所述等离子体处理方法包括:
对所述腔室内供给非活性气体的步骤;以及
使含硅材料沉积在所述基片上的步骤,该步骤选择性地实施两个处理中的一者以从所述非活性气体生成等离子体,所述两个处理是:将第一高频电功率从第一高频电源供给到所述等离子体处理装置的上部电极的处理;和将具有比所述第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极的处理,并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压,以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。


2.一种对基片实施的等离子体处理方法,其特征在于:
所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模,在该掩模形成有具有长度方向的开口,
该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施,
所述等离子体处理方法包括:
对所述腔室内供给非活性气体的步骤;以及
使含硅材料沉积在所述基片上的步骤,该步骤将具有比第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极,以从所述非活性气体生成等离子体,其中所述第一高频电功率由与所述等离子体处理装置的上部电极电连接的第一高频电源产生,并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压,以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。


3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法,其特征在于:
所述负极性的偏置电压是直流电压。


4.如权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理方法,其特征在于:
构成所述上部电极的所述含硅材料由硅构成。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员:小笠原幸辅山口贤太郎伴瀬贵德
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1