【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理方法和等离子体处理装置
本专利技术的例示的实施方式涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
在电子器件的制造中进行等离子体蚀刻。在等离子体蚀刻中,掩模的图案被转印到基底膜。在掩模形成有开口。掩模的开口的尺寸有时在实施等离子体蚀刻之前被缩小。在专利文献1和专利文献2中,记载了使掩模的开口的尺寸缩小的技术。在专利文献1和专利文献2记载的技术中,使用了电容耦合型的等离子体处理装置。在等离子体处理装置的腔室内,生成等离子体。为了使来自等离子体的离子撞击到等离子体处理装置的上部电极,将负极性的直流电压施加到等离子体处理装置的上部电极。通过离子的撞击,从上部电极释放硅颗粒。释放出的颗粒沉积在基片上。其结果是,掩模的开口的尺寸被缩小。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014-82228号公报专利文献2:日本特开2018-93189号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题寻求使掩模的开口的长度方向上的尺寸以及该开口的与长度方向正交的方向上的尺寸中的一者选择性地缩小的技术。用于解决技术问题的技术方案在一个例示的实施方式中,提供一种对基片实施的等离子体处理方法。基片具有含硅膜和掩模。掩模形成于含硅膜上。在掩模形成有开口。开口具有长度方向。等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。基片支承台设置于等离子体处理装置的腔室内。等离子体处理方法包括对腔室内供给非活性气体的步骤。 ...
【技术保护点】
1.一种对基片实施的等离子体处理方法,其特征在于:/n所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模,在该掩模形成有具有长度方向的开口,/n该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施,/n所述等离子体处理方法包括:/n对所述腔室内供给非活性气体的步骤;以及/n使含硅材料沉积在所述基片上的步骤,该步骤选择性地实施两个处理中的一者以从所述非活性气体生成等离子体,所述两个处理是:将第一高频电功率从第一高频电源供给到所述等离子体处理装置的上部电极的处理;和将具有比所述第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极的处理,并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压,以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180808 JP 2018-1492561.一种对基片实施的等离子体处理方法,其特征在于:
所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模,在该掩模形成有具有长度方向的开口,
该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施,
所述等离子体处理方法包括:
对所述腔室内供给非活性气体的步骤;以及
使含硅材料沉积在所述基片上的步骤,该步骤选择性地实施两个处理中的一者以从所述非活性气体生成等离子体,所述两个处理是:将第一高频电功率从第一高频电源供给到所述等离子体处理装置的上部电极的处理;和将具有比所述第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极的处理,并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压,以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。
2.一种对基片实施的等离子体处理方法,其特征在于:
所述基片具有含硅膜和形成于该含硅膜上的掩模,在该掩模形成有具有长度方向的开口,
该等离子体处理方法在设置于电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内的基片支承台上载置有所述基片的状态下实施,
所述等离子体处理方法包括:
对所述腔室内供给非活性气体的步骤;以及
使含硅材料沉积在所述基片上的步骤,该步骤将具有比第一高频电功率的频率低的频率的第二高频电功率从第二高频电源供给到所述基片支承台的下部电极,以从所述非活性气体生成等离子体,其中所述第一高频电功率由与所述等离子体处理装置的上部电极电连接的第一高频电源产生,并且该步骤从偏置电源对所述上部电极施加负极性的偏置电压,以从所述等离子体使正离子撞击到所述上部电极而从所述上部电极释放所述含硅材料。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法,其特征在于:
所述负极性的偏置电压是直流电压。
4.如权利要求1~3中任一项所述的等离子体处理方法,其特征在于:
构成所述上部电极的所述含硅材料由硅构成。
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【专利技术属性】
技术研发人员:小笠原幸辅,山口贤太郎,伴瀬贵德,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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