基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质技术方案

一种对基板进行处理的基板处理系统，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
(关联申请的相互参照)本申请基于2018年3月14日向日本申请的日本特愿2018－47159号和2018年4月27日向日本申请的日本特愿2018－87711号主张优先权，并将它们的内容引用到本说明书中。本专利技术涉及基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质。
技术介绍
近年来，在半导体器件的制造工序中，针对在表面形成有多个电子电路等器件的半导体晶圆(以下，称为晶圆)，进行磨削该晶圆的背面来使晶圆薄化的处理。而且，在对该薄化了的晶圆直接进行输送、进行后续的处理时，有可能在晶圆发生翘曲、破裂。因此，为了加强晶圆，例如进行将晶圆粘贴于支承基板的处理。然而，通常晶圆的周缘部被进行倒角加工，但在如上述那样对晶圆进行磨削处理时，晶圆的周缘部成为锐利地尖的形状(所谓的刀刃形状)。于是，有可能在晶圆的周缘部产生碎裂，使晶圆受到损伤。因此，在磨削处理前预先进行去除晶圆的周缘部的、所谓的边缘修整。例如在专利文献1中，作为进行边缘修整的装置，公开有纵轴型的端面磨削装置。在使用该端面磨削装置对晶圆的周缘部进行磨削的情况下，首先，使粘贴有支承基板的晶圆固定于工作台，并使工作台绕与铅垂轴线平行的轴线旋转。而且，在使旋转轴旋转而对作为磨削工具的砂轮施加旋转之后，使旋转轴沿铅垂方向移动，从而使砂轮的磨削面与晶圆抵接，而对晶圆的周缘部进行磨削。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9－216152号公报专利技术内容专利技术要解决的问题然而，在专利文献1所记载的端面磨削装置中，旋转轴的沿铅垂方向的移动例如因公差等各种原因而存在不恒定的情况。该情况下，无法适当地控制砂轮的铅垂移动，而可能导致磨削到支承基板的表面。因而，以往的边缘修整具有改善的余地。本专利技术即是鉴于上述情况而做成的，其目的在于适当地去除将基板彼此接合而成的层叠基板中一个基板的周缘部。用于解决问题的方案解决上述课题的本专利技术的一技术方案为一种对基板进行处理的基板处理系统，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。另一观点的本专利技术的一技术方案为一种对基板进行处理的基板处理方法，其中，该基板处理方法具有：改性层形成工序，沿着第1基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；周缘去除工序，以所述改性层为基点去除所述周缘部；以及接合工序，接合所述第1基板和第2基板。另一观点的本专利技术的一技术方案为一种可读取的计算机存储介质，该计算机存储介质存储有程序，该程序用于在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行，以利用该基板处理系统执行所述基板处理方法。专利技术的效果根据本专利技术的一技术方案，能够适当地去除基板彼此相接合而成的层叠基板中一个基板的周缘部。附图说明图1是示意性表示第1实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概略的俯视图。图2是表示层叠晶圆的结构的概略的侧视图。图3是表示改性层形成装置的结构的概略的侧视图。图4是表示在被处理晶圆形成了改性层的形态的纵剖视图。图5是表示在被处理晶圆形成了改性层的形态的俯视图。图6是表示加工装置的磨削单元的结构的概略的侧视图。图7是表示第1实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序中被处理晶圆的形态的说明图。图8是表示第1实施方式的变形例所涉及的晶圆处理的主要的工序中被处理晶圆的形态的说明图。图9是示意性表示第2实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概略的俯视图。图10是表示周缘去除装置的结构的概略的侧视图。图11是表示第2实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序中被处理晶圆的形态的说明图。图12是表示其他实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序中被处理晶圆的形态的说明图。图13是表示其他实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序中被处理晶圆的形态的说明图。图14是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成了改性层的形态的纵剖视图。图15是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成改性层的形态的说明图。图16是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成了改性层的形态的俯视图。图17是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成了改性层的形态的俯视图。图18是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成了改性层的形态的俯视图。图19是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成了改性层的形态的纵剖视图。图20是表示界面处理装置的结构的概略的侧视图。图21是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成了改性槽的形态的俯视图。图22是表示其他实施方式中在被处理晶圆形成了改性面的形态的俯视图。图23是表示其他实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序中被处理晶圆的形态的说明图。图24是表示界面处理装置的结构的概略的侧视图。图25是表示处理装置的结构的概略的侧视图。图26是表示其他实施方式中在被处理晶圆的内部形成了改性面的形态的纵剖视图。图27是表示形成图26所示的改性面的形态的纵剖面的说明图。图28是表示其他实施方式中在被处理晶圆的器件层形成了改性面的形态的纵剖视图。图29是表示形成图28所示的改性面的形态的纵剖面的说明图。图30是表示其他实施方式所涉及的晶圆处理的主要的工序中被处理晶圆的形态的说明图。图31是表示层叠晶圆中被处理晶圆偏心的形态的俯视图。图32是改性层位于比改性面的内周靠径向内侧的位置的情况的说明图。图33是改性层位于比改性面的内周靠径向外侧的位置的情况的说明图。图34是表示处理装置的结构的概略的侧视图。图35是示意性表示第3实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概略的俯视图。具体实施方式以下，对于本专利技术的实施方式，一边参照附图一边进行说明。另外，在本说明书以及附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素，标注相同的附图标记而省略重复说明。首先，对本专利技术的第1实施方式进行说明。图1是示意性表示第1实施方式所涉及的基板处理系统1的结构的概略的俯视图。此外，在以下，为了明确位置关系，规定互相正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。在基板处理系统1中，如图2所示，将作为第1基板的被处理晶圆W和作为第2基板的支承晶圆S接合而形成作为层叠基板的层叠晶圆T，而且对被处理晶圆W进行薄化。以下，对于被处理晶圆W，将被加工的面(与接合于支承晶圆S的面相反的一侧的面)称为“加工面Wg”，将与加工面Wg相反的一侧的面称为“非加工面Wn”。另外，在支承晶圆S中，将接合于被处理晶圆W的面称为“接合面Sj”，将与接合面Sj相反的一侧的面称为“非接合面Sn”。被处理晶圆W为例如硅晶圆等半导体晶圆，在非加工面Wn本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，/n该基板处理系统具有：/n改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及/n周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180314 JP 2018-047159;20180427 JP 2018-0877111.一种基板处理系统，其对基板进行处理，其中，
该基板处理系统具有：
改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及
周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。


2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述改性层形成装置在基板的内部形成自所述边界向径向外侧延伸的径向改性层，并在比所述边界靠径向外侧的位置形成环状的分割改性层。


3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
在基板的表面形成有器件层，
所述改性层形成装置自基板的背面照射激光而形成所述改性层。


4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其中，
所述改性层形成装置保持与第1基板的表面接合的第2基板，自所述第1基板的背面照射激光，在该第1基板的内部形成所述改性层。


5.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述周缘去除装置保持所述第2基板，以所述改性层为基点去除所述周缘部。


6.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述周缘去除装置保持所述第2基板，使所述第1基板的厚度减小而去除所述周缘部。


7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其中，
所述改性层的下端位于使所述第1基板的厚度减小时的目标表面的上方。


8.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述周缘去除装置对在所述周缘部的表面形成有与所述第2基板之间的接合降低部的、所述第1基板和所述第2基板接合而成的层叠基板进行处理，去除所述周缘部。


9.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述改性层形成装置对在所述周缘部的表面形成有与所述第2基板之间的接合降低部的、所述第1基板和所述第2基板接合而成的层叠基板进行处理，与所述接合降低部对应地形成所述改性层。


10.根据权利要求6所述的基板处理系统，其中，
所述改性层的下端位于使所述第1基板的厚度减小时的目标表面的下方。


11.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述改性层形成装置在第1基板的内部形成所述改性层，
所述周缘去除装置去除所述第1基板的所述周缘部，
所述基板处理系统具有界面处理装置，该界面处理装置对所述周缘部处所述第1基板与第2基板接合的界面进行规定的处理。


12.根据权利要求11所述的基板处理系统，其中，
所述界面处理装置向接合前的所述第1基板的所述界面或者所述第2基板的所述界面照射激光而使该界面改性。


13.根据权利要求11所述的基板处理系统，其中，
所述界面处理装置对接合前的所述第1基板的所述界面或者所述第2基板的所述界面进行蚀刻。


14.根据权利要求11所述的基板处理系统，其中，
所述界面处理装置向接合后的所述第1基板的所述界面照射激光而使该界面改性。


15.根据权利要求14所述的基板处理系统，其中，
在所述第1基板的表面形成有器件层，
所述界面处理装置向所述器件层照射激光而使该器件层改性。


16.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
该基板处理系统具有接合装置，该接合装置将所述第1基板和所述第2基板接合。


17.根据权利要求16所述的基板处理系统，其中，
所述接合装置在所述第1基板层叠第3基板并进行接合，
所述改性层形成装置沿着所述第3基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第3基板的内部形成改性层，
所述周缘去除装置去除所述第3基板的所述周缘部。


18.根据权利要求17所述的基板处理系统，其中，
所述改性层形成装置在所述第3基板的内部的比所述第1基板的端部靠径向内侧的位置形成所述改性层。


19.一种基板处理方法，该基板处理方法对基板进行处理，其中，
该基板处理方法具有：
改性层形成工序，沿着第1基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在该第1基板的内部形成改性层；
周缘去除工序，以所述改性层为基点去除所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田之上隼斗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP