【技术实现步骤摘要】
硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置
本公开涉及一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置。
技术介绍
例如，已知将包含碳的硬掩模用作蚀刻掩模。在专利文献1中公开了一种基板处理方法，其包括：在基板的处理面上沉积器件层；在器件层上沉积纳米晶金刚石层；将纳米晶金刚石层进行图案化并进行蚀刻；对器件层进行蚀刻来形成沟槽；以及将纳米晶金刚石层进行灰化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-224823号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在一个方面中，本公开提供一种进行了应力调整的硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置。用于解决问题的方案为了解决上述课题，根据一个方式，提供如下一种硬掩模：其形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。专利技术的效果根据一个方面，能够提供一种进行了应力调整的硬掩模、基板处...
【技术保护点】
1.一种硬掩模，形成于在基板形成的对象膜之上，/n所述硬掩模是将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。/n
【技术特征摘要】
20190523 JP 2019-0971561.一种硬掩模，形成于在基板形成的对象膜之上，
所述硬掩模是将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。
2.根据权利要求1所述的硬掩模，其特征在于，
所述硬掩模相对于所述对象膜的选择比大于1。
3.根据权利要求1或2所述的硬掩模，其特征在于，
所述第一膜具有压缩应力，
所述第二膜具有拉伸应力。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的硬掩模，其特征在于，
所述第一膜为碳膜，
所述第二膜为钌膜。
5.根据权利要求4所述的硬掩模，其特征在于，
交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜中的最上层的膜为所述第一膜。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的硬掩模，其特征在于，
交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜中的最下层的膜为所述第一膜。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的硬掩模，其特征在于，
所述第一膜和所述第二膜构成为能够通过利用氧等离子体进行的灰化被从所述基板去除。
8.一种基板处理方法，包括以下工序：
准备形成有对象膜的基板；
在所述基板进行具有第一方向的应力的第一膜的成膜；
在所述基板进行具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜的成膜；以及
重复进行所述第一膜的成膜的工序和进行所述第二膜的成膜的工序，来形成硬掩模。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
所述硬掩模相对于所述对象膜的选择比大于1。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一膜具有压缩应力，
所述第二膜具有拉伸应力。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第一膜为碳膜，
所述第二膜为钌膜。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，
交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜中的最上层的膜为所述第一膜。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
交替地层叠后的所述第一膜和所述第二膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：守屋刚，石坂忠大，森贞佳纪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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