图形化方法及其形成的半导体器件技术

一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：提供待刻蚀层；在所待刻蚀层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层内形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；在所述第一槽内形成填充层，所述填充层填充满第一槽；刻蚀去除部分第一掩膜层和部分填充层，在相邻第一凹槽之间形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽，所述第二槽暴露出填充层侧壁；在所述第二槽侧壁形成隔离侧墙，使得所述第二槽形成为第二凹槽；去除填充层，在第一掩膜层内形成第一凹槽。所述图形化方法的可靠性得到提高。

【技术实现步骤摘要】
图形化方法及其形成的半导体器件
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图形化方法及其形成的半导体器件。
技术介绍
在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到衬底上。光刻过程包括：提供衬底；在衬底上形成图形化；对所述图形化进行曝光和显影，形成图案化的图形化，使得掩膜版上的图案转移到图形化中；以图案化的图形化为掩膜对衬底进行刻蚀，使得图形化上的图案转印到衬底中；去除图形化。随着半导体器件尺寸的不断缩小，光刻关键尺寸逐渐接近甚至超出了光刻的物理极限，由此给光刻技术提出了更加严峻的挑战。双重构图技术的基本思想是通过两次构图形成最终的目标图案，以克服单次构图不能达到的光刻极限。然而，现有的图形化工艺的可靠性较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种图形化方法及其形成的半导体器件，以提高图形化方法的可靠性。为解决上述问题，本专利技术提供一种图形化方法，包括：提供待刻蚀层；在所待刻蚀层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层内形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；在所述第一槽内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形化方法，其特征在于，包括：/n提供待刻蚀层；/n在所待刻蚀层上形成第一掩膜层；/n在所述第一掩膜层内形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；/n在所述第一槽内形成填充层，所述填充层填充满第一槽；/n刻蚀去除部分第一掩膜层和部分填充层，在相邻第一凹槽之间形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽，所述第二槽暴露出填充层侧壁；/n在所述第二槽侧壁形成隔离侧墙，使得所述第二槽形成为第二凹槽；/n去除填充层，在第一掩膜层内形成第一凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种图形化方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层；
在所待刻蚀层上形成第一掩膜层；
在所述第一掩膜层内形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；
在所述第一槽内形成填充层，所述填充层填充满第一槽；
刻蚀去除部分第一掩膜层和部分填充层，在相邻第一凹槽之间形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽，所述第二槽暴露出填充层侧壁；
在所述第二槽侧壁形成隔离侧墙，使得所述第二槽形成为第二凹槽；
去除填充层，在第一掩膜层内形成第一凹槽。


2.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述隔离侧墙的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化钛、氮化钛、氮化铝或者氧化铝。


3.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述隔离侧墙的厚度为5nm～30nm。


4.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述填充层的材料包括含碳的有机材料。


5.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述填充层的形成方法包括：在所述第一槽内和第一掩膜层上形成初始填充层，所述初始填充层填充满第一槽；回刻蚀所述初始填充层，直至暴露出第一掩膜层表面，形成所述填充层。


6.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一槽的形成方法包括：在第一掩膜层上形成第一图形化层，所述第一图形化层内具有多个沿第一方向排布的分立的第一光刻开口，所述第一光刻开口暴露出部分第一掩膜层表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀第一掩膜层，在第一掩膜层内形成第一槽。


7.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第二槽的形成方法包括：在所述第一掩膜层和填充层上形成第一阻挡层，所述第一阻挡层内具有多个沿第一方向排布的分立的第一开口，所述第一开口暴露出部分填充层和部分第一掩膜层表面；形成第一阻挡层后，以所述第一阻挡层为掩膜，刻蚀去除第一开口暴露出的第一掩膜层和填充层，在相邻第一凹槽之间形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第二槽；刻蚀去除部分第一掩膜层和部分填充层后，去除第一阻挡层。


8.根据权利要求7所述的图形化方法，其特征在于，所述第一阻挡层的形成方法包括：在第一掩膜层和填充层上形成初始...

【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，蒋斌杰，杨伟娜，庞军玲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31