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一种图形化方法及其形成的半导体器件，方法包括：提供待刻蚀层；在所待刻蚀层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层内形成多个相互分立且沿第一方向平行排布的第一槽；在所述第一槽内形成填充层，所述填充层填充满第一槽；刻蚀去除部分第一掩膜层和部分填充层，...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。