半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在所述掩膜层内形成第一开口，所述第一开口沿第一方向贯穿第一区上的掩膜层，且所述第一开口暴露出若干所述待刻蚀层的第一区表面；分别在第二区的掩膜层表面形成牺牲层，且所述牺牲层内具有第二开口，所述第二开口沿第一方向贯穿所述牺牲层；在所述第一区的第一开口内、第二开口内、牺牲层侧壁和顶部表面、以及掩膜层表面形成初始牺牲膜，且所述初始牺牲膜填充满所述第一开口和第二开口；回刻蚀所述初始牺牲膜，直至暴露出牺牲层顶部表面和掩膜层表面为止，在所述第一开口内形成第一分割段，在所述第二开口内形成第二初始分割段，在牺牲层侧壁表面形成牺牲侧墙。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到衬底上。光刻过程包括：提供衬底；在衬底上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对衬底进行刻蚀，使得光刻胶上的图案转印到衬底中；去除光刻胶。随着半导体器件尺寸的不断缩小，光刻关键尺寸逐渐接近甚至超出了光刻的物理极限，由此给光刻技术提出了更加严峻的挑战。自对准双重图形化技术的基本思想是通过两次构图形成最终的目标图案，以克服单次构图不能突破的光刻极限。然而，现有的半导体结构的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括互联区，所述互联区包括若干第一区和若干第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排列，相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括互联区，所述互联区包括若干第一区和若干第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排列，相邻的第一区和第二区邻接，所述待刻蚀层的互联区表面具有掩膜层；/n在所述掩膜层内形成第一开口，所述第一开口沿第一方向贯穿第一区上的掩膜层，且所述第一开口暴露出若干所述待刻蚀层的第一区表面；/n分别在第二区上的掩膜层表面形成牺牲层，且所述牺牲层内具有第二开口，所述第二开口沿第一方向贯穿所述牺牲层；/n在所述第一区的第一开口内、第二开口内、牺牲层侧壁和顶部表面、以及掩膜层表面形成初始牺牲膜，且所述初始牺牲膜填充满所述第一开口和第二开口；/...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括互联区，所述互联区包括若干第一区和若干第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排列，相邻的第一区和第二区邻接，所述待刻蚀层的互联区表面具有掩膜层；
在所述掩膜层内形成第一开口，所述第一开口沿第一方向贯穿第一区上的掩膜层，且所述第一开口暴露出若干所述待刻蚀层的第一区表面；
分别在第二区上的掩膜层表面形成牺牲层，且所述牺牲层内具有第二开口，所述第二开口沿第一方向贯穿所述牺牲层；
在所述第一区的第一开口内、第二开口内、牺牲层侧壁和顶部表面、以及掩膜层表面形成初始牺牲膜，且所述初始牺牲膜填充满所述第一开口和第二开口；
回刻蚀所述初始牺牲膜，直至暴露出牺牲层顶部表面和掩膜层表面为止，在所述第一开口内形成第一分割段，在所述第二开口内形成第二初始分割段，在牺牲层侧壁表面形成牺牲侧墙；
在形成所述第一分割段、第二初始分割段和牺牲侧墙之后，去除所述牺牲层；
去除所述牺牲层之后，以所述第二初始分割段以及所述牺牲侧墙为掩膜刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层中形成位于第一区内的第一槽，所述第一槽暴露出第一分割段，且第一槽分别位于第一分割段沿第二方向的两侧，在所述掩膜层中形成位于第二区内的第二槽和第二分割段，且所述第二槽分别位于第二分割段沿第二方向的两侧，所述第二分割段以所述第二初始分割段刻蚀掩膜层而形成，第二方向垂至于第一方向。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层内形成第一开口之后，形成牺牲层和位于牺牲层内的第二开口。


3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口还暴露出若干所述待刻蚀层的第二区表面；所述第一开口的形成方法包括：在所述掩膜层表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出第一区和第二区部分掩膜层表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层内形成所述第一开口。


4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层还填充满第二区第一开口；所述牺牲层和位于牺牲层内的第二开口的形成方法包括：在所述第一开口内、掩膜层表面形成牺牲材料膜，所述牺牲材料膜填充满第一开口；在所述牺牲材料膜表面形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出若干第一区的牺牲材料膜表面和若干第二区的部分牺牲材料膜表面；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述牺牲材料膜，直至暴露出掩膜层表面和第一区内第一开口底部表面，形成所述牺牲层和位于牺牲层内的第二开口。


5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层内形成第一开口之前，形成牺牲层和位于牺牲层内的第二开口。


6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层和位于牺牲层内的第二开口的形成方法包括：在所述掩膜层表面形成牺牲材料膜；在所述牺牲材料膜表面形成第三图形化层，所述第三图形化层暴露出若干第一区的牺牲材料膜表面和若干第二区的部分牺牲材料膜表面；以所述第三图形化层为掩膜，刻蚀所述牺牲材料膜，直至暴露出掩膜层表面，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘继全，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31