一种更小线宽的光刻工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种更小线宽的光刻工艺，使用光刻机在晶圆表面进行曝光并形成曝光图形；第一次旋涂化学缩放胶，通过加热使其与第一层胶发生化学反应；使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，获得第一次缩放后的图形；第二次旋涂化学缩放胶，通过加热使其与第一层胶发生化学反应，再次使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，完成第二层化学缩放过程，进一步缩小曝光图形尺寸；根据所需要目标图形尺寸以及设计需求，确定化学缩放次数。本发明专利技术采用光刻和多次化学缩放工艺相结合的技术方案，有效的提升光刻机的分辨率，从而实现低成本、可生产化的小尺寸栅光刻工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种更小线宽的光刻工艺
本专利技术涉及半导体芯片微加工领域，特别是一种基于化学缩放工艺实现更小线宽的光刻工艺。
技术介绍
以GaN为代表的第三代半导体，禁带宽度3.4eV，二维电子气浓度高，导热率高，饱和电子速度大，击穿场强高。GaN的击穿电压约为Si和GaAs的10倍，因此高电压条件下的应用成为可能。也正是由于高电压，相较GaAs器件，GaN在功率密度方面得到不止10倍的提升，从而可以达到较大的输出功率的量级。同时，GaN的高饱和电子速度、高电流密度，使其在高频的应用得以实现。在高温、高压、高频、大功率方面的应用潜力，使GaN射频微波芯片在5G无线通讯、通信导航以及卫星宇航工程等领域具有广泛而重要的应用价值。随着无线通讯的应用越来越广泛，频宽的需求随之增加，芯片所需的线宽则趋向更小的尺寸，以增加芯片的射频特性。目前在化合物半导体微加工领域，实现短栅长器件的技术主要是电子束曝光，成本高、产能低，不利于批量生产。通常来说i-line光刻机的极限分辨率是0.35μm，如果需要特征尺寸在0.3μm以下，就需要用到DUV光刻机，这也意味着成本的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种更小线宽的光刻工艺，其特征在于，包括：/n在晶圆表面旋涂第一层光刻胶，使用光刻机进行曝光并形成曝光图形；/n表面处理，第一次旋涂化学缩放胶，静置充足时间后，通过加热使其与第一层光刻胶发生化学反应；/n使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，完成第一次化学缩放过程，获得第一次缩放后的图形；/n表面处理，第二次旋涂化学缩放胶，静置充足时间后，通过加热使其与前一层光刻胶发生化学反应；/n使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，完成第二次化学缩放过程，获得第二次缩放后的图形；/n根据所需要目标图形尺寸以及设计需求，确定化学缩放次数；/n将光刻图形转移到晶圆上。/n

【技术特征摘要】
1.一种更小线宽的光刻工艺，其特征在于，包括：
在晶圆表面旋涂第一层光刻胶，使用光刻机进行曝光并形成曝光图形；
表面处理，第一次旋涂化学缩放胶，静置充足时间后，通过加热使其与第一层光刻胶发生化学反应；
使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，完成第一次化学缩放过程，获得第一次缩放后的图形；
表面处理，第二次旋涂化学缩放胶，静置充足时间后，通过加热使其与前一层光刻胶发生化学反应；
使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，完成第二次化学缩放过程，获得第二次缩放后的图形；
根据所需要目标图形尺寸以及设计需求，确定化学缩放次数；
将光刻图形转移到晶圆上。


2.如权利要求1所述的一种更小线宽的光刻工艺，其特征在于，化学缩放的次数为两次以上，化学反应温度为100～130℃。


3.如权利要求1所述的一种更小线宽的光刻工艺，其特征在于，所述晶圆衬底为Si、GaAs、GaN或SiC。


4.如权利要求1所述的一种更小...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄威，王溯源，蔡利康，刘柱，章军云，黄念宁，陈堂胜，
申请(专利权)人：中电国基南方集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32