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本发明公开了一种更小线宽的光刻工艺，使用光刻机在晶圆表面进行曝光并形成曝光图形；第一次旋涂化学缩放胶，通过加热使其与第一层胶发生化学反应；使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，获得第一次缩放后的图形；第二次旋涂化学缩放胶，通过加热使其...
该专利属于中电国基南方集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电国基南方集团有限公司授权不得商用。

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