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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在所述掩膜层内形成第一开口，所述第一开口沿第一方向贯穿第一区上的掩膜层，且所述第一开口暴露出若干所述待刻蚀层的第一区表面；分别在第二区的掩膜层表面形成牺牲层，且所述牺牲层内具有第二开口，所述第二开口沿第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。