基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理方法和基片处理装置。本发明专利技术的一个方式的基片处理方法包括第一清洗步骤和第二清洗步骤。第一清洗步骤用第一清洗液清洗基片。第二清洗步骤在第一清洗步骤后，用与第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗基片。本发明专利技术在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分地除去颗粒。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法和基片处理装置
本专利技术涉及基片处理方法和基片处理装置。
技术介绍
一直以来，已知用清洗液对半导体晶片(以下也称为晶片。)等的基片进行清洗的技术(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-258462号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分除去颗粒的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理方法包括第一清洗步骤和第二清洗步骤。第一清洗步骤用第一清洗液清洗基片。第二清洗步骤在上述第一清洗步骤后，用与上述第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗上述基片。专利技术效果依照本专利技术，在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分除去颗粒。附图说明图1是表示实施方式的基片处理系统的概略构成的示意图。图2是表示实施方式的处理单元的构成例的示意图。图3是表示实施方式的基片处理系统的配管构成的示意图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：/n用第一清洗液清洗基片的第一清洗步骤；和/n在所述第一清洗步骤后，用与所述第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗所述基片的第二清洗步骤。/n

【技术特征摘要】
20190527 JP 2019-0985011.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
用第一清洗液清洗基片的第一清洗步骤；和
在所述第一清洗步骤后，用与所述第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗所述基片的第二清洗步骤。


2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一清洗液是未使用的清洗液，
所述第二清洗液是已使用的清洗液。


3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第二清洗液是在使用后在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液。


4.如权利要求2或者3所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一清洗液是在未使用的状态下在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液。


5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一清洗液是在使用后在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液，
所述第二清洗液是在使用后在室温以上的温度下进行了过滤的清洗液。


6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
在第二清洗步骤后，用功能水冲洗所述基片的冲洗步骤。


7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹口博史，筱原和义，大塚贵久，李水根，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP