基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置和基片处理方法。本发明专利技术的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于喷嘴臂，用于使基片的位置与保持部中的所设定的位置对准。本发明专利技术能够高精度地蚀刻基片的周缘部。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
一直以来，已知用处理液来对半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片的周缘部进行蚀刻的技术(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-168429号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够高精度地蚀刻基片的周缘部的技术。用于解决问题的技术手段本专利技术的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。专利技术效果依照本专利技术，能够高精度地蚀刻基片的周缘部。附图说明图1是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。图2是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。图3是表示实施方式的喷嘴臂的结构的立体图。图4是表示实施方式的喷嘴臂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n能够保持基片的保持部；/n喷嘴臂，其具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴；和/n对位机构，其设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。/n

【技术特征摘要】
20190514 JP 2019-0916001.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
能够保持基片的保持部；
喷嘴臂，其具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴；和
对位机构，其设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴臂设置有一对，
一对所述喷嘴臂分别具有所述对位机构，且以隔着所述保持部相对的方式配置。


3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述对位机构配置在比所述喷嘴靠上方的位置。


4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
俯视时，从所述喷嘴的排出口排出到所述基片上的处理液的排出位置位于所述基片的中心与所述对位机构之间。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴具有：
设置于连接所述喷嘴臂的连接部与所述处理液的排出口之间的弯曲部；和
从所述弯曲部延伸至所述排出口的延伸部。


6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴具有相对于所述延伸部可拆装的排出口部件。


7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
形成于所述排出口部件的流路比所述喷嘴中的形成于所述排出口部件以外的部位的流路细。


8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括控制所述保持部、所述喷嘴...

【专利技术属性】
技术研发人员：天野嘉文，相浦一博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP