基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置和基片处理方法。本发明专利技术的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于喷嘴臂，用于使基片的位置与保持部中的所设定的位置对准。本发明专利技术能够高精度地蚀刻基片的周缘部。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法
本专利技术的实施方式涉及基片处理装置和基片处理方法。
技术介绍
一直以来，已知用处理液来对半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片的周缘部进行蚀刻的技术(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-168429号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够高精度地蚀刻基片的周缘部的技术。用于解决问题的技术手段本专利技术的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。专利技术效果依照本专利技术，能够高精度地蚀刻基片的周缘部。附图说明图1是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。图2是表示实施方式的基片处理装置的结构的示意图。图3是表示实施方式的喷嘴臂的结构的立体图。图4是表示实施方式的喷嘴臂的结构的立体图。图5是用于说明实施方式的对位机构的动作的图。图6A是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。图6B是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。图6C是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。图6D是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。图6E是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。图6F是表示实施方式的基片处理的一步骤的示意图。图7A是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。图7B是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。图7C是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。图7D是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。图7E是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。图7F是表示实施方式的变形例的基片处理的一步骤的示意图。图8是表示实施方式的喷嘴的结构的立体图。图9是表示实施方式的喷嘴头的结构的示意图。图10是表示实施方式的喷嘴的内部结构的截面图。图11是表示实施方式的基片处理装置执行的基片处理的顺序的流程图。图12是表示实施方式的变形例的基片处理装置执行的基片处理的顺序的流程图。附图标记说明W晶片(基片的一例)1基片处理装置20保持部30上表面供给部31喷嘴臂33对位机构35喷嘴35a连接部35c弯曲部35d延伸部35f排出口35g第1流路35h第2流路41喷嘴臂43对位机构45喷嘴101控制部C1、C2中心P1、P2排出位置。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式详细地进行说明。此外，本专利技术并不由以下所示的各实施方式限定。另外，需要注意，附图是示意性的图，存在各要素的尺寸的关系、各要素的比例等与现实不同的情况。而且，在附图彼此之间，也存在包含彼此的尺寸的关系、比例不同的部分的情况。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。此外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出了规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂向上的方向的正交坐标系。此外，有时将以铅垂轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。一直以来，已知一种用处理液来对半导体晶片(以下，也称为晶片。)等基片的周缘部进行蚀刻的技术。在该周缘部的蚀刻处理中，基片不偏心而正确地被对位到保持部这一点是重要。另一方面，在现有的基片处理装置中，将基片对位的对位机构和对基片排出处理液的喷嘴分别设置于不同的臂，因此喷嘴相对于对位机构的相对位置会产生偏差。由此，即使用对位机构高精度地进行了对位，也存在不能在基片的周缘部高精度地排出处理液的情况。于是，在该情况下，难以对周缘部高精度地进行蚀刻。因此，期待能够解决上述技术问题，高精度地蚀刻基片的周缘部的技术。＜基片处理装置的整体结构＞首先，参照图1和图2，对实施方式的基片处理装置1的结构进行说明。图1和图2是表示实施方式的基片处理装置1的结构的示意图。如图1和图2所示，实施方式的基片处理装置1包括处理容器10、保持部20、上表面供给部30、下方杯状体50、下表面供给部60、外方杯状体70和加热机构80。处理容器10收纳保持部20、上表面供给部30、下方杯状体50、下表面供给部60、外方杯状体70和加热机构80。保持部20能够将晶片W以可旋转的方式保持，并且能够使所保持的晶片W升降。具体而言，如图2所示，保持部20包括真空吸盘21、轴部22和驱动部23。真空吸盘21通过抽真空来吸附并保持晶片W。真空吸盘21与晶片W相比直径小，吸附并保持晶片W的下表面中央部。轴部22在前端部水平地支承真空吸盘21。驱动部23与轴部22的根端部连接。驱动部23使轴部22绕铅垂轴旋转，并且使轴部22和由该轴部22支承的真空吸盘21升降。由此，驱动部23能够使真空吸盘21所保持的晶片W旋转，并且能够使该晶片W升降。如图1所示，上表面供给部30对晶片W的上表面周缘部供给处理液，由此对晶片W的上表面周缘部进行蚀刻。由此，例如能够除去形成于晶片W的上表面周缘部的膜，或者清洗晶片W的上表面周缘部。此外，晶片W的上表面周缘部是指晶片W的上表面中的自端面起例如宽度1～5mm程度的环状的区域。上表面供给部30具有喷嘴臂31和喷嘴臂41。喷嘴臂31和喷嘴臂41以俯视时隔着保持部20相对的方式配置。喷嘴臂31具有液供给部32、对位机构33和移动机构34。喷嘴臂31在水平方向(此处为Y轴方向)上延伸，在前端部支承液供给部32和对位机构33。液供给部32具有喷嘴35，对该喷嘴35供给药液、冲洗液等处理液。作为药液，能够使用例如氟酸(HF)、稀氟酸(DHF)、氟硝酸等。此外，氟硝酸是氟酸(HF)与硝酸(HNO3)的混合液。另外，作为冲洗液，能够使用例如DIW(去离子水)。对位机构33使晶片W的位置与保持部20中所设定的位置对准。此外，在本专利技术中，“所设定”是“预先设定”的意思。例如，对位机构33使晶片W的中心C2(参照图5)与保持部20中的旋转轴的中心C1(参照图5)对准。由此，在实施方式中，能够使在保持部20上不偏心的方式高精度地配置晶片W。对该对位机构33的详细情况，在后文说明。移动机构34与喷嘴臂31的根端部连接。移动机构34使喷嘴臂31沿例如水平方向(此处为X轴方向)移动，并且使喷嘴臂31升降。喷嘴35在比晶片W靠上方处以排出口朝下的状态配置，对晶片W的上表面排出处理液。喷嘴臂41具有液供给部42、对位机构43和移动机构44。喷嘴臂41在水平方向(此处为Y轴方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n能够保持基片的保持部；/n喷嘴臂，其具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴；和/n对位机构，其设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。/n

【技术特征摘要】
20190514 JP 2019-0916001.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
能够保持基片的保持部；
喷嘴臂，其具有对所述基片的周缘部供给处理液的喷嘴；和
对位机构，其设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述保持部中的所设定的位置对准。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴臂设置有一对，
一对所述喷嘴臂分别具有所述对位机构，且以隔着所述保持部相对的方式配置。


3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述对位机构配置在比所述喷嘴靠上方的位置。


4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
俯视时，从所述喷嘴的排出口排出到所述基片上的处理液的排出位置位于所述基片的中心与所述对位机构之间。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴具有：
设置于连接所述喷嘴臂的连接部与所述处理液的排出口之间的弯曲部；和
从所述弯曲部延伸至所述排出口的延伸部。


6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述喷嘴具有相对于所述延伸部可拆装的排出口部件。


7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：
形成于所述排出口部件的流路比所述喷嘴中的形成于所述排出口部件以外的部位的流路细。


8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括控制所述保持部、所述喷嘴...

【专利技术属性】
技术研发人员：天野嘉文，相浦一博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP