晶片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及一种晶片处理装置。该晶片处理装置包含：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间。所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。所述晶片处理装置进一步包含：主要反射器，其安置于所述辐射源中；及次要反射器，其安置于所述透明窗与所述辐射源之间。所述粗糙表面可设置于所述透明窗、所述主要反射器及/或所述次要反射器上方。

【技术实现步骤摘要】
晶片处理装置
本专利技术实施例涉及晶片处理装置。
技术介绍
随着半导体行业引入具有较高性能及较大功能性的新生代集成电路(IC)，形成IC的元件或组件的密度增加，而个别组件或元件之间的尺寸、大小及间隔减小。由于此些减小受限于通过光刻术定义结构的能力，所以具有较小尺寸的装置几何形状产生新限制因素。例如，针对两个相邻导电路径，随着导体之间的距离减小，所得电容(绝缘材料的介电常量(k)除以导电路径之间的距离的函数)增加。此增加电容增加导体之间的电容耦合、功率消耗及电阻电容(RC)延迟。在半导体装置的工艺中，必须在半导体晶片上执行数个处理步骤(即，多达数百个)以形成组件或装置。在此工艺的实行期间，可选择某些工艺来解决特定问题。例如，使用例如UV固化的晶片处理方法来降低介电材料的k值。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，一种晶片处理装置包括：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间，其中所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的算术平均粗糙度(Ra)值是在约0.5微米与约100μm之间。根据本专利技术的一些实施例，一种晶片处理装置包括：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间；及主要反射器，其安置于所述辐射源中且经配置以将所述辐射反射朝向所述透明窗，其中所述主要反射器具有拥有第一粗糙表面的第一反射区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。根据本专利技术的一些实施例，一种晶片处理装置包括：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间；主要反射器，其安置于所述辐射源中且经配置以将所述辐射反射朝向所述透明窗；及次要反射器，其安置于所述透明窗与所述辐射源之间，其中所述次要反射器具有拥有第一粗糙表面的第一反射区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。附图说明当结合附图阅读时，从以下具体实施方式更好理解本揭示的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种构件不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种构件的尺寸可任意增大或减小。图1是绘示在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的示意图。图2是绘示在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的UV透明窗的示意俯视图。图3A是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的透明窗的剖面图。图3B是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的透明窗的剖面图。图4是绘示在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的透明窗的示意俯视图。图5是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的主要反射器的侧视图。图6是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的主要反射器的透视图。图7是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的主要反射器的仰视图。图8是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的主要反射器的仰视图。图9是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的次要反射器的透视图。图10是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的次要反射器的剖面图。图11是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的次要反射器的剖面图。图12是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的次要反射器的剖面图。图13是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的次要反射器的剖面图。图14是在一或多项实施例中的根据本揭示的方面的晶片处理装置的次要反射器的剖面图。具体实施方式以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。在下文描述元件及布置的特定实例以简化本揭示。当然，此些仅为实例且并不旨在为限制性的。例如，在以下描述中，第一构件形成在第二构件上方或上可包含其中第一构件及第二构件经形成直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭示可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。此外，为便于描述，例如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…上方”、“上”、“在…上”及类似物的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与图中绘示的另一元件或构件的关系。除图中描绘的定向外，空间相对术语还打算涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述符。如本文中使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，但此些元件、组件、区、层及/或区段不应被此些术语限制。此些术语仅可用于彼此区分一个元件、组件、区、层或区段。例如“第一”、“第二”及“第三”的术语在本文中使用时并不暗示序列或顺序，除非由背景内容明确指示。虽然阐述本揭示的广泛范围的数值范围及参数是近似值，但已尽可能精确地报告特定实例中所阐述的数值。然而，任何数值固有地含有必然由各自测试测量中发现的标准偏差引起的特定误差。而且，如本文中使用，术语“大体上”、“近似”或“约”通常意谓在可由一般技术人员所预期的值或范围内。替代地，当由一般技术人员考虑时，术语“大体上”、“近似”或“约”意谓在均值的可接受标准误差内。一般技术人员可理解，可接受标准误差可根据不同技术而变化。除了在操作/工作实例中之外，或除非另有明确指定，否则全部数值范围、数量、值及百分比(例如本文中公开的材料量、持续时间、温度、操作条件、数量比及类似者的数值范围、数量、值及百分比)应被理解为在全部例项中均由术语“大体上”、“近似”或“约”修饰。因此，除非有相反指示，否则本揭示及随附专利技术权利要求书中阐述的数值参数是可根据需要变化的近似值。至少，各数值参数至少应鉴于所报告的有效数字的数目且通过应用普通舍入技术解释。本文中可将范围表达为从一个端点到另一端点或在两个端点之间。除非另有指定，否则本文中公开的全部范围包含端点。采用UV固化来降低介电材料(例如通过化学气相沉积(CVD)工艺沉积的氧化物)的k值。UV固化用于从复合致孔剂介电膜去除致孔剂，从而留下具有约2.0与约2.6之间的低k值的多孔介电基质。UV固化在填充有气体的腔室中发生。将晶片安置于腔室中且暴露到UV辐射。在介电膜的UV固化期间，可期望维持晶片的整个表面上方的均匀UV固化强度以避免例如可不成比例地暴露到较大辐射水平的晶片的部分处的膜收缩的问题，所述问题可导致装置性能的可变性。用于UV固化的现有装置已利用有时由于UV灯的布置而导致晶片上的较高局部化UV辐射强度区(通常在晶片的中心区处)的布置。此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片处理装置，其包括：/n晶片基座，其经配置以支撑晶片；/n辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及/n透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间，/n其中所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的算术平均粗糙度(Ra)值是在约0.5微米与约100μm之间。/n

【技术特征摘要】
20190517 US 16/415,9721.一种晶片处理装置，其包括：
晶片基座，其经配置以支撑晶片；
辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾同庆，杨松柏，李逢滔，陈诗芳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71