晶片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及一种晶片处理装置。该晶片处理装置包含：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间。所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的Ra值是在约0.5μm与约100μm之间。所述晶片处理装置进一步包含：主要反射器，其安置于所述辐射源中；及次要反射器，其安置于所述透明窗与所述辐射源之间。所述粗糙表面可设置于所述透明窗、所述主要反射器及/或所述次要反射器上方。

【技术实现步骤摘要】
晶片处理装置
本专利技术实施例涉及晶片处理装置。
技术介绍
随着半导体行业引入具有较高性能及较大功能性的新生代集成电路(IC)，形成IC的元件或组件的密度增加，而个别组件或元件之间的尺寸、大小及间隔减小。由于此些减小受限于通过光刻术定义结构的能力，所以具有较小尺寸的装置几何形状产生新限制因素。例如，针对两个相邻导电路径，随着导体之间的距离减小，所得电容(绝缘材料的介电常量(k)除以导电路径之间的距离的函数)增加。此增加电容增加导体之间的电容耦合、功率消耗及电阻电容(RC)延迟。在半导体装置的工艺中，必须在半导体晶片上执行数个处理步骤(即，多达数百个)以形成组件或装置。在此工艺的实行期间，可选择某些工艺来解决特定问题。例如，使用例如UV固化的晶片处理方法来降低介电材料的k值。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，一种晶片处理装置包括：晶片基座，其经配置以支撑晶片；辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间，其中所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片处理装置，其包括：/n晶片基座，其经配置以支撑晶片；/n辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到所述晶片；及/n透明窗，其安置于所述晶片基座与所述辐射源之间，/n其中所述透明窗具有拥有第一粗糙表面的第一区带，且所述第一粗糙表面的算术平均粗糙度(Ra)值是在约0.5微米与约100μm之间。/n

【技术特征摘要】
20190517 US 16/415,9721.一种晶片处理装置，其包括：
晶片基座，其经配置以支撑晶片；
辐射源，其经配置以将电磁辐射提供到...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾同庆，杨松柏，李逢滔，陈诗芳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71