本发明专利技术公开一种芯片移除装置及芯片移除方法。芯片移除装置包括：承载基板、激光产生模块以及吹气模块。承载基板承载至少一个基板，多个芯片设置在基板上。激光产生模块对应于承载基板，用于对芯片施加激光光束，以降低芯片与基板之间的结合力。吹气模块设置在承载基板的上方且靠近基板，用于对芯片施加气体，以使芯片被吹离基板。借此，本发明专利技术的芯片移除装置及芯片移除方法可通过上述技术方案，以提升移除芯片的便利性。
【技术实现步骤摘要】
芯片移除装置及芯片移除方法
本专利技术涉及一种移除装置及移除方法，特别是涉及一种芯片移除装置及芯片移除方法。
技术介绍
目前，发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使采用发光二极管做为发光元件的显示装置具有优选的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示装置，此全彩发光二极管显示装置可通过红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。而当电路基板上的发光二极管芯片发生损坏时，一般都是透过吸嘴、剔刀或夹具等工具将损坏的发光二极管芯片由电路基板上取下。然而，随着科技的演进，电子装置体积逐渐变小，电子装置内部的电子零件也随着变小，例如小型化的IC芯片或LED芯片。因此，当电路基板上的小型化芯片发生损坏时，由于不管是吸嘴、剔刀或是夹具的尺寸都过大的情况下，将无法顺利取下小型化芯片，使得需要替换新的芯片时造成很大的困扰。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种芯片移除装置及芯片移除方法。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案，是提供一种芯片移除装置，包括：承载基板、激光产生模块以及吹气模块。所述承载基板承载至少一个基板，多个芯片设置在所述基板上。所述激光产生模块对应于所述承载基板，用于对所述芯片施加激光光束，以降低所述芯片与所述基板之间的结合力。所述吹气模块设置在所述承载基板的上方且靠近所述基板，用于对所述芯片施加气体，以使所述芯片被吹离所述基板。优选地，所述芯片为长度小于100μm的发光二极管芯片，所述芯片包括呈堆迭状设置的n型导电层、被所述激光光源穿过的发光层以及p型导电层，所述n型导电层为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层，所述发光层为多量子井结构层，所述p型导电层为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层。优选地，所述芯片为长度小于100μm的发光二极管芯片，所述芯片包括呈堆迭状设置的基层、n型导电层、被所述激光光源穿过的发光层以及p型导电层，所述基层为蓝宝石基层，所述n型导电层为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层，所述发光层为多量子井结构层，所述p型导电层为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层。优选地，所述芯片的顶端面积小于吸嘴的开口面积，且所述吸嘴会同时接触到至少两个所述芯片，而使得所述吸嘴无法一次只吸取一个所述芯片。优选地，两个所述芯片之间的间隙小于芯片用剔刀所能插入的宽度，而使得所述芯片用剔刀无法插入两个所述芯片之间的间隙。优选地，两个所述芯片之间的间隙小于芯片用夹爪所能插入的宽度，而使得所述芯片用夹爪无法插入两个所述芯片之间的间隙。优选地，所述芯片移除装置还进一步包括吸取模块，所述吸取模块设置在所述承载基板的上方，以吸取被吹离所述基板的所述芯片。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案，是提供一种芯片移除方法，包括：提供承载基板，所述承载基板承载至少一个基板，多个芯片通过焊料而设置在所述基板上；利用激光产生模块对所述芯片施加激光光束，以降低所述芯片与所述基板之间的结合力；以及利用吹气模块对所述芯片施加气体，以使所述芯片被吹离所述基板。优选地，所述芯片移除方法还进一步包括：利用吸取模块以吸取被吹离所述基板的所述芯片。优选地，所述焊料附着在被吹离所述基板的所述芯片上，而不会残留在所述基板的焊垫上。本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的芯片移除装置，能通过“芯片移除装置包括：承载基板、激光产生模块以及吹气模块”、“承载基板承载至少一个基板”、“激光产生模块对应于所述承载基板，用于对所述芯片施加激光光束，以降低所述芯片与所述基板之间的结合力”以及“吹气模块设置在所述承载基板的上方且靠近所述基板，用于对所述芯片施加气体，以使所述芯片被吹离所述基板”的技术方案，以提升移除芯片的便利性。本专利技术的另外一有益效果在于，本专利技术所提供的芯片移除方法，能通过“提供承载基板，承载至少一个基板，多个芯片通过焊料而设置在所述基板上”、“利用激光产生模块对所述芯片施加激光光束，以降低所述芯片与所述基板之间的结合力”以及“利用吹气模块对所述芯片施加气体，以使所述芯片被吹离所述基板”的技术方案，以提升移除芯片的便利性。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为本专利技术第一实施例所提供的芯片移除方法的流程图。图2为本专利技术第一实施例所提供的芯片移除方法的步骤S100的示意图。图3为图2的III部分的放大示意图。图4为本专利技术第一实施例所提供的芯片移除方法的步骤S102的示意图。图5为本专利技术第一实施例所提供的芯片移除方法的步骤S104的第一动作示意图。图6为本专利技术第一实施例所提供的芯片移除方法的步骤S104的第二动作示意图。图7为本专利技术第一实施例所提供的芯片移除方法的步骤S106的示意图。图8为本专利技术第一实施例的芯片移除装置采用现有吸嘴的动作示意图。图9为本专利技术第一实施例的芯片移除装置采用现有芯片用剔刀的动作示意图。图10为本专利技术第一实施例的芯片移除装置采用现有芯片用夹爪的动作示意图。图11为本专利技术第二实施例所提供的芯片移除装置的芯片的结构示意图。具体实施方式以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“芯片移除装置及芯片移除方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本专利技术的优点与效果。本专利技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不脱离本专利技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本专利技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本专利技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本专利技术的保护范围。应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。[第一实施例]请参阅图1至图7所示，本专利技术提供一种芯片移除方法，包括下列步骤：首先，配合图1与图2所示，提供承载基板D1，承载基板D1承载至少一个基板10，多个芯片20通过焊料30而设置在基板10上(步骤S100)。举例来说，在本专利技术的步骤S100中，可通过承载模块D1承载至少一个基板10，基板10可为单一基板或是复合式基板。基板10还包括多个焊垫100，每一个焊垫100上可以设置至少一个焊料30，且焊料30可为锡球，或是其他型体且具导电性的材料。并且，承载模块D1可为具备位本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片移除装置，其特征在于，包括：/n承载基板，所述承载基板承载至少一个基板，多个芯片设置在所述基板上；/n激光产生模块，所述激光产生模块对应于所述承载基板，用于对所述芯片施加激光光束，以降低所述芯片与所述基板之间的结合力；以及/n吹气模块，所述吹气模块设置在所述承载基板的上方且靠近所述基板，用于对所述芯片施加气体，以使所述芯片被吹离所述基板。/n
【技术特征摘要】
20190516 TW 1081168291.一种芯片移除装置，其特征在于，包括：
承载基板，所述承载基板承载至少一个基板，多个芯片设置在所述基板上；
激光产生模块，所述激光产生模块对应于所述承载基板，用于对所述芯片施加激光光束，以降低所述芯片与所述基板之间的结合力；以及
吹气模块，所述吹气模块设置在所述承载基板的上方且靠近所述基板，用于对所述芯片施加气体，以使所述芯片被吹离所述基板。
2.根据权利要求1所述的芯片移除装置，其特征在于，所述芯片为长度小于100μm的发光二极管芯片，所述芯片包括呈堆迭状设置的n型导电层、被激光光源穿过的发光层以及p型导电层，所述n型导电层为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层，所述发光层为多量子井结构层，所述p型导电层为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层。
3.根据权利要求1所述的芯片移除装置，其特征在于，所述芯片为长度小于100μm的发光二极管芯片，所述芯片包括呈堆迭状设置的基层、n型导电层、被激光光源穿过的发光层以及p型导电层，所述基层为蓝宝石基层，所述n型导电层为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层，所述发光层为多量子井结构层，所述p型导电层为p型氮化镓材料层或p型砷化镓材料层。
4.根据权利要求1所述的芯片移除装置，其特征在于，所述芯片的顶端面积小于吸嘴的...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖建硕，
申请(专利权)人：台湾爱司帝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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