【技术实现步骤摘要】
硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法
本专利技术属于集成电路制备
，特别是涉及一种硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法。
技术介绍
在半导体制造业，随着微细化发展，对于各器件结构的制备要求也越来越严苛。在半导体器件结构的制备过程中，往往会遇到将两片晶圆进行键合、粘附以及贴附等过程，在上述工艺过程当中，往往会产生气泡(bubble)，从而降低产品良率，一般可以评估气泡的数量、宽度以及外沿位置。其中，在半导体制造业，晶圆片的应用有许多，近年来如Back-SideIlluminatedCIS，它具有光路短，灵敏度高，串扰小的优点，金属布线的自由度以集成SOC等，但在其制备过程中，在边缘(edge)的区域会出现bubble，降低产品良率，目前，一般控制方法可以是建立气泡监控方法、晶圆键合前进行优化平坦表面处理、减少键合前界面的颗粒以及对设备进行优化等，上述方法在工艺、复杂性以及控制效果上难以达到理想的结果。因此，如何提供一种硅片贴合气泡数量评估方法及图像传感器结构制备方法以解决现有技术中的上述技
【技术保护点】
1.一种硅片贴合气泡数量的评估方法，其特征在于，所述评估方法包括基于待评估硅片上预设长度内硅片厚度变化均匀性来评估所述待评估硅片上产生的气泡数量。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅片贴合气泡数量的评估方法，其特征在于，所述评估方法包括基于待评估硅片上预设长度内硅片厚度变化均匀性来评估所述待评估硅片上产生的气泡数量。
2.根据权利要求1所述的硅片贴合气泡数量的评估方法，其特征在于，所述硅片厚度变化均匀性基于所述预设长度内单位长度斜率的变化或单位长度高度差的变化获取。
3.根据权利要求2所述的硅片贴合气泡数量的评估方法，其特征在于，当所述硅片厚度变化均匀性基于所述预设长度内单位长度斜率的变化获取时，所述单位长度斜率的变化包括各单位长度斜率的标准差、各单位长度斜率的最大值、各单位长度斜率的最小值、各单位长度斜率的中位数以及各单位长度斜率的平均值中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的硅片贴合气泡数量的评估方法，其特征在于，所述单位长度介于0.2mm-25mm之间。
5.根据权利要求1所述的硅片贴合气泡数量的评估方法，其特征在于，所述预设长度基于所述待评估硅片的厚度形貌获取，所述厚度形貌包括半径方向上所述待评估硅片的平均厚度变化以及所述待评估硅片某一角度沿半径方向上的厚度变化中的任意一种。
6.根据权利要求4所述的硅片贴合气泡数量的评估方法，其特征在于，当所述厚度形貌选择半径方向上所述待评估硅片的平均厚度变化时，所述平均厚度选自于以所述待评估硅片的圆心为中心的同心圆上若干个点的厚度的平均值。
7.根据权利要求1所述的硅片贴合气泡数量的评估...
【专利技术属性】
技术研发人员：何昆哲，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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