成膜方法技术

本发明专利技术涉及成膜方法。提供能够抑制基板的氧化并成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。其具有第1工序和在第1工序后进行的第2工序，第1工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第1改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第2工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第2改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第1改性气体的使基板氧化的作用小于第2改性气体的使基板氧化的作用。

【技术实现步骤摘要】
成膜方法
本公开涉及一种成膜方法。
技术介绍
公知有一种通过相对于形成在基板的凹部交替地供给互相反应的第1反应气体和第2反应气体，从而在凹部使第1反应气体与第2反应气体的反应产物成膜的方法(例如参照专利文献1)。在该方法中，在供给第1反应气体之前，进行使羟基以期望的分布吸附于形成在基板的凹部的内表面的步骤。另外，作为使羟基以期望的分布吸附的一个例子，记载有如下例子：在使羟基吸附的步骤中，将基板暴露于由包含含氢气体的气体生成的氧等离子体，来补充不足的羟基。专利文献1：日本特开2013－135154号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够在基板上抑制基板的氧化并且成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。用于解决问题的方案本公开的一技术方案的成膜方法具有第1工序和在所述第1工序之后进行的第2工序，该第1工序重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及利用等离子体使第1改性气体活性化并向所述硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜方法，其中，/n该成膜方法具有第1工序和在所述第1工序之后进行的第2工序，/n该第1工序重复以下步骤：/n使氨基硅烷气体吸附于基板之上；/n向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及/n利用等离子体使第1改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理，/n该第2工序重复以下步骤：/n使氨基硅烷气体吸附于所述基板之上；/n向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及/n利用等离子体使第2改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理...

【技术特征摘要】
20190520 JP 2019-0948321.一种成膜方法，其中，
该成膜方法具有第1工序和在所述第1工序之后进行的第2工序，
该第1工序重复以下步骤：
使氨基硅烷气体吸附于基板之上；
向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及
利用等离子体使第1改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理，
该第2工序重复以下步骤：
使氨基硅烷气体吸附于所述基板之上；
向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及
利用等离子体使第2改性气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理，
所述第1改性气体为使所述基板氧化的作用小于所述第2改性气体的使所述基板氧化的作用的气体。


2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
所述第1改性气体含有氩，
所述第2改性气体含有氦。


3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其中，
所述第1改性气体和所述第2改性气体含有氧。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，
所述第1工序中的使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述硅氧化膜的改性处理的步骤的重复次数少于所述第2工序中的使所述氨基硅烷气体吸附的步骤、使所述硅氧化膜堆积的步骤以及进行所述硅氧化膜的改性处理的...

【专利技术属性】
技术研发人员：千叶贵司，佐藤润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP