清洁方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种清洁方法和等离子体处理装置。清洁方法包括：用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X(X≥1)。根据本发明专利技术，能够有效地除去腔室内的第12～第16族的元素。

【技术实现步骤摘要】
清洁方法和等离子体处理装置
本专利技术涉及清洁方法和等离子体处理装置。
技术介绍
例如，专利文献1提案了一种能够除去腔室11内的含Ti膜的清洁方法。在专利文献1中，一边利用含氧气体的等离子体除去附着于腔室11内的部件的含碳膜和含Ti膜中的含碳膜，一边利用含氧气体的等离子体将含Ti膜的表面改性。将含Ti膜的表面改性而得到的TiO膜利用含氟气体的等离子体除去。TiO膜被除去而露出的含Ti膜的残渣由含氯气体的等离子体从上述部件除去。然而，附着在腔室的内壁的沉积物在除了铟等难以蚀刻的金属元素之外还含有有机物、硅材料的情况下，若不进行与各种残渣相适应的气体和清洁方法，则在腔室11内壁蓄积残渣。其结果，会发生在腔室11内产生颗粒的问题，或者会在工艺的再现性上产生问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-323841号公报。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够有效地除去腔室内的第12～第16族的元素的清洁方法和等离子体处理装置。依照本专利技术的一方式，提供一种清洁方法，其包括：用含卤素气体的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清洁方法，其特征在于，包括：/n用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；/n用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和/n用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，/n在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X，其中，X≥1。/n

【技术特征摘要】
20190705 JP 2019-1264231.一种清洁方法，其特征在于，包括：
用含卤素气体的等离子体除去腔室内的典型半导体材料元素组的残渣的步骤；
用含烃气体的等离子体除去所述腔室内的第12族和第13族金属元素组以及第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤；和
用含氧气体的等离子体除去所述腔室内的含碳物的步骤，
在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之前或者之后，对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数X，其中，X≥1。


2.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于：
具有在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤之后，用含氢气体的等离子体除去所述第14族和第15族金属元素组的残渣的步骤。


3.如权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，包括：
具有在用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤或者用所述含氢气体的等离子体进行除去的所述步骤之后，用非活性气体的等离子体除去所述腔室内的H、F、Cl、Br和I的至少任一者。


4.如权利要求1～3中任一项所述的清洁方法，其特征在于：
在对用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数Y之前或者执行之后，执行用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤，其中，Y≥1。


5.如权利要求2或3所述的清洁方法，其特征在于：
对用所述含氢气体的等离子体进行除去的所述步骤、用所述含烃气体的等离子体进行除去的所述步骤和用所述含氧气体的等离子体进行除去的所述步骤依次执行规定次数Y之前或者执行之后，执行用所述含卤素气体的等离子体进行除去的所述步骤，其中，Y≥1。


6.一种清...

【专利技术属性】
技术研发人员：山﨑政宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP