蚀刻方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，该蚀刻方法中，上述环状部件包括第1环状部件和比上述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，上述第1环状部件的至少一部分配置在上述基片的外周部的下表面与上述支承台的上表面之间的空间，上述蚀刻方法包括：根据上述第2环状部件的消耗量，利用上述第1环状部件调整上述空间的介电常数的工序；和蚀刻上述基片的工序。本发明专利技术能够改善基片的外周部的蚀刻特性。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法和等离子体处理装置
本专利技术涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，等离子体处理装置通过使处理气体激发而生成等离子体。使用所生成的等离子体在基片进行蚀刻处理时的蚀刻特性的面内均匀性的要求在变高。专利文献1中，为了提高蚀刻特性的面内均匀性，提案了能够减少在基片的周缘部背面侧产生沉积物(副生成物)的聚焦环和等离子体处理装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-277369号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题根据在基片上形成的膜种类或者蚀刻条件，基片上的蚀刻特性的表现多种多样。由此，需要根据各种各样的条件得到蚀刻特性的面内均匀性，特别要求有能够调整基片的外周部的蚀刻特性的技术。本专利技术提供能够改善基片的外周部的蚀刻特性的蚀刻方法和等离子体处理装置。用于解决技术问题的技术方案依照本专利技术的一个方式，提供由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施的蚀刻方法，其中，上述环状部件包括第1环状部件和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻方法，其由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，所述蚀刻方法的特征在于：/n所述环状部件包括第1环状部件和比所述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，/n所述第1环状部件的至少一部分配置在所述基片的外周部的下表面与所述支承台的上表面之间的空间，/n所述蚀刻方法包括：/n根据所述第2环状部件的消耗量，利用所述第1环状部件调整所述空间的介电常数的工序；和/n蚀刻所述基片的工序。/n

【技术特征摘要】
20190701 JP 2019-1231311.一种蚀刻方法，其由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，所述蚀刻方法的特征在于：
所述环状部件包括第1环状部件和比所述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，
所述第1环状部件的至少一部分配置在所述基片的外周部的下表面与所述支承台的上表面之间的空间，
所述蚀刻方法包括：
根据所述第2环状部件的消耗量，利用所述第1环状部件调整所述空间的介电常数的工序；和
蚀刻所述基片的工序。


2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：
调整所述空间的介电常数的工序改变所述第1环状部件的材质、厚度和形状的至少任一者来进行调整。


3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：
调整所述空间的介电常数的工序改变相对于所述第2环状部件的介电常数的、所述第1环状部件的介电常数，来进行调整。


4.如权利要求1～3中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：有吉文彬，浅原玄德，相泽俊介，伏见彰仁，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP