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本发明提供蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，该蚀刻方法中，上述环状部件包括第1环状部件和比上述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，上述第1环状部件的至少一部分配置在上述基片...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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