等离子体处理设备及其用于等离子体处理设备的接地环组件制造技术

一种等离子体处理设备及其用于等离子体处理设备的接地环组件，其中，等离子体处理设备包括：反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁包括承载面；位于所述反应腔内底部的基座，所述基座用于承载待处理基片；包围所述基座的中接地环组件，所述中接地环组件包括底部组件、由底部组件外侧端部向上延伸的延伸环以及由延伸环向外延伸的承载环，所述承载环位于承载面上，底部组件、延伸环和承载环构成一个连续的导电通路；包围所述基座的下接地环，所述下接地环顶部与底部组件内侧端部连接；连接于所述基座上的射频源。所述等离子体处理设备的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理设备及其用于等离子体处理设备的接地环组件
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种等离子体处理设备及其用于等离子体处理设备的接地环组件。
技术介绍
在半导体工艺中，对半导体材料进行刻蚀的工艺通常包括干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，其中，由于利用等离子体进行刻蚀的干法刻蚀工艺能有效地控制刻蚀开口的尺寸而成为目前最主流的刻蚀工艺。现有工艺通常利用辉光放电、射频信号、电晕放电等形成等离子体。其中，利用射频信号形成等离子体时，可以通过调控处理气体成分、射频功率的频率、射频功率的耦合模式、气压、温度等参数，控制形成的等离子体的密度和能量，从而优化等离子体处理效果。因此，在现有的半导体刻蚀装置中，通常采用射频信号形成等离子体，且利用射频信号在待处理基片上形成偏压，使得所述等离子体轰击待处理基片，对所述待处理基片进行刻蚀工艺。现有的采用射频信号形成等离子体的刻蚀装置主要包括电感耦合等离子体(ICP)刻蚀装置、电容耦合等离子体(CCP)刻蚀装置和电子回旋加速振荡(ECR)刻蚀装置等，其中，电感耦合等离子体(ICP)刻蚀装置和电容耦合等离子体(CC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：/n反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁包括承载面；/n位于所述反应腔内底部的基座，所述基座用于承载待处理基片；/n包围所述基座的中接地环组件，所述中接地环组件包括底部组件、由底部组件外侧端部向上延伸的延伸环以及由延伸环向外延伸的承载环，所述承载环位于承载面上，且所述底部组件、延伸环和承载环构成一个连续的导电通路；/n包围所述基座的下接地环，所述下接地环顶部与底部组件内侧端部连接；连接于所述基座上的射频源。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：
反应腔，所述反应腔包括反应腔侧壁，所述反应腔侧壁包括承载面；
位于所述反应腔内底部的基座，所述基座用于承载待处理基片；
包围所述基座的中接地环组件，所述中接地环组件包括底部组件、由底部组件外侧端部向上延伸的延伸环以及由延伸环向外延伸的承载环，所述承载环位于承载面上，且所述底部组件、延伸环和承载环构成一个连续的导电通路；
包围所述基座的下接地环，所述下接地环顶部与底部组件内侧端部连接；连接于所述基座上的射频源。


2.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述底部组件包括：外环和位于所述外环内的连接杆，所述连接杆两端分别与外环和下接地环顶部连接。


3.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述底部组件包括：内环、外环以及连接所述内环与外环之间的若干个相互分立的连接杆；所述延伸环由外环向上延伸；所述下接地环由内环向下延伸。


4.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述下接地环与中接地环组件一体成型。


5.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述下接地环顶部与底部组件的内环通过螺钉固定连接。


6.如权利要求5所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述螺钉的个数大于1个，且多个螺钉沿下接地环内环周向均匀分布。


7.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，还包括：位于所述承载环与承载面之间的密封结构和第一导电垫片，所述第一导电垫片包围密封结构。


8.如权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述第一导电垫片的材料包括：铜或镍或金中的一种或者多种组合。


9.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟娜，黄允文，吴磊，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31