用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于处理基板的装置和方法。一种基板处理装置包括：腔室，该腔室中具有工艺空间；基板支承单元，其在工艺空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应至工艺空间；和等离子体生成单元，其从气体生成等离子体。其中，基板支承单元包括：基板支承部件，其支承基板；聚焦环，其围绕基板支承部件；绝缘体，其位于聚焦环的下方，且具有形成在其中的凹槽；电极，其设置在形成于绝缘体中的凹槽中；以及阻抗控制器，阻抗控制器与电极连接，且调节电极的阻抗，并且阻抗控制器包括：共振控制电路，其调节施加到电极的电流的最大值；以及阻抗控制电路，其控制基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法相关申请的交叉引用本申请请求于2019年6月27日递交韩国知识产权局的第10-2019-0076943号韩国专利申请在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
本文中所描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种用于使用等离子体处理基板的基板处理装置和方法。
技术介绍
半导体制造工艺可包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体制造工艺中，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。在使用等离子体的基板处理工艺中、诸如使用等离子体的蚀刻工艺中，安装在静电卡盘边缘上的聚焦环在该工艺期间用作基板位置的导向环，并影响等离子体的生成和静电卡盘边缘区域中的鞘(sheath)的高度。特别地，根据聚焦环的形状，该聚焦环可对基板的边缘区域的蚀刻均匀性的变化具有很大影响。聚焦环通常由诸如Si、SiC或石英的材料形成。随着等离子体工艺时间的增加，工艺期间发生的离子轰击会磨损或蚀刻聚焦环，聚焦环的厚度会减小。随着聚焦环的高度由于聚焦环的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：/n腔室，在所述腔室中具有工艺空间；/n基板支承单元，其配置为在所述工艺空间中支承基板；/n气体供应单元，其配置为将气体供应到所述工艺空间中；/n等离子体生成单元，其配置为从所述气体生成等离子体，/n其中，所述基板支承单元包括：/n基板支承部件，其配置为支承所述基板；/n聚焦环，其配置为围绕所述基板支承部件；/n绝缘体，其位于所述聚焦环的下方，所述绝缘体中具有形成在其中的凹槽；/n电极，其设置在形成于所述绝缘体中的所述凹槽中；以及/n阻抗控制器，其与所述电极连接，且所述阻抗控制器配置为调节所述电极的阻抗，并且/n其中，所述阻抗控制器包括：/n共振控制...

【技术特征摘要】
20190627 KR 10-2019-00769431.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
腔室，在所述腔室中具有工艺空间；
基板支承单元，其配置为在所述工艺空间中支承基板；
气体供应单元，其配置为将气体供应到所述工艺空间中；
等离子体生成单元，其配置为从所述气体生成等离子体，
其中，所述基板支承单元包括：
基板支承部件，其配置为支承所述基板；
聚焦环，其配置为围绕所述基板支承部件；
绝缘体，其位于所述聚焦环的下方，所述绝缘体中具有形成在其中的凹槽；
电极，其设置在形成于所述绝缘体中的所述凹槽中；以及
阻抗控制器，其与所述电极连接，且所述阻抗控制器配置为调节所述电极的阻抗，并且
其中，所述阻抗控制器包括：
共振控制电路，其配置为调节施加到所述电极的电流的最大值；以及
阻抗控制电路，其配置为控制所述基板的边缘区域的等离子体离子的入射角。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述共振控制电路包括感应器和第一可变电容器，且
其中，所述阻抗控制电路包括第二可变电容器。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述共振控制电路和所述阻抗控制电路彼此并联连接。


4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述阻抗控制器还包括控制构件，所述控制构件配置为调节所述第一可变电容器的电容和所述第二可变电容器的电容，并且
其中，所述控制构件调节所述第一可变电容器的电容，使得所述电极具有最大阻抗值。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述控制构件通过调节所述第二可变电容器的电容、来控制所述聚焦环的上端的电压。


6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述阻抗控制器还包括电压测量构件，所述电压测量构...

【专利技术属性】
技术研发人员：具滋明，安宗焕，朴君昊，赵台勋，桑特·阿雷克赖恩，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR