【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及基板处理装置。
技术介绍
在制造半导体装置或显示装置时，实施光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积、清洗等各种工艺。在这里，光刻工艺包括涂覆、曝光和显影工艺。将感光液涂覆到基板上(即，涂覆工艺)，在形成有感光膜的基板上曝光形成电路图案(即，曝光工艺)，并且对基板的经曝光处理的区域选择性地进行显影(即，显影工艺)。通常，在半导体制造工艺中，可以利用等离子体以便蚀刻形成在晶片或基板上的薄膜。通过形成在工艺腔室的内部的电场，等离子体可以与晶片或基板碰撞，从而实现薄膜的蚀刻。为了提高集中在晶片或基板边缘的等离子体的浓度，可以沿着晶片或基板的边缘设置环构件。等离子体通过环构件而集中在晶片或基板的边缘，从而不仅可以对晶片或基板的中心部分进行高质量的蚀刻，还可以对边缘进行高质量的蚀刻。
技术实现思路
解决的技术问题本专利技术要解决的问题是提供基板处理装置。本专利技术的问题不限于在上文中提及的问题，并且本领域的技术人员将通过下面的记载可以清楚地理解未提及的其他问题。
【技术保护点】
1.基板处理装置，包括：/n工艺腔室，提供针对基板的工艺处理空间；/n卡盘，支承所述基板；以及/n聚焦环，布置为围绕所述卡盘的边缘，/n其中，所述聚焦环包括具有不同的介电常数的多个层，以及/n所述多个层中的每个的介电常数和形状确定为使得随着所述聚焦环的蚀刻而改变的电场的变化减弱。/n
【技术特征摘要】
20190627 KR 10-2019-00768461.基板处理装置，包括：
工艺腔室，提供针对基板的工艺处理空间；
卡盘，支承所述基板；以及
聚焦环，布置为围绕所述卡盘的边缘，
其中，所述聚焦环包括具有不同的介电常数的多个层，以及
所述多个层中的每个的介电常数和形状确定为使得随着所述聚焦环的蚀刻而改变的电场的变化减弱。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述聚焦环包括：
基础层；以及
加强层，具有比所述基础层高的介电常数，并且层叠在所述基础层上，
其中，所述基础层包括：
第一平面部，与地面平行，并且邻近所述基板；
第二平面部，与地面平行，并且相比所述第一平面部更远离所述基板；以及
倾斜部，相对于地面倾斜，并且连接所述第一平面部和所述第二平面部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述倾斜部形成为使得所述倾斜部与地面的距离随着所述倾斜部远离所述基板而增加。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述加强层形成为与在所述第一平面部和所述倾斜部处相比在所述第二平面部处更厚。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述加强层形成为厚度随着远离所述基板而变厚。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述加强层包括具有不同的介电常数的多个子加强层。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述多个子加强层的厚度在从最上方的子加强层朝向所述基础层的方向上变得越来越厚。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述多个子加强层的厚度在从最上方的子加强层朝向所述基础层的方向上变得越来越薄。
9.基板处理装置，包括：
工艺腔室，提供针对基板的工艺处理空间；
基础板，提供为绝缘体；
卡盘，支承所述基板；
主体，设置在所述基础板与所述卡盘之间；
聚焦环，布置为围绕所述卡盘的边缘并且包括基础层和加强层，其中，所述加强层具有比所述基础层高的介电常数并且层叠在所述基础层上；以及
环支承体，相对于...
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