等离子体处理装置以及等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置的特征在于，包括：处理腔室，提供等离子体产生空间；卡盘部件，设置于处理腔室内，并支承基板；两个以上的RF电源，向卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；环部件，提供成围绕卡盘部件；边缘电极，在环部件布置成与卡盘部件电绝缘；边缘阻抗控制器，包括与边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及高频截止部，包括在边缘阻抗控制器中，并进行向阻抗控制电路不输送高频电力的截止。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置以及等离子体处理方法
本专利技术涉及使用等离子体来处理基板的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
技术介绍
蚀刻装置或蒸镀装置等利用等离子体来处理半导体晶圆等基板的基板处理装置包括提供用于处理基板的空间的处理腔室。等离子体可以以各种方式产生，例如可以向设置于处理腔室中的上电极与下电极之间施加高频电力来产生等离子体。上电极可以是处理腔室的上壁或供应工作气体的喷头，下电极可以是支承基板的卡盘(chuck)部件。可以在上电极和下电极中任一个连接RF电源而另一个接地，可以根据情况在两电极都连接一个以上RF电源。可以在下电极除用于生成等离子体的RF电源以外还连接用于朝基板方向的离子加速或控制离子方向性(iondirectivity)的RF电源。当设置多个RF电源时，一般输出彼此不同频率的RF电力。为了生成等离子体，使用相对高频率的RF电力，为了离子加速或控制离子方向性，使用相对低频率的RF电力。此外，可以在上电极连接用于控制等离子体分布的可调直流电源。另一方面，在卡盘部件的周围通常布置聚焦环(focusring)。通过聚焦环，等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n处理腔室，提供等离子体产生空间；/n卡盘部件，设置于所述处理腔室内，并支承基板；/n两个以上的RF电源，向所述卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；/n环部件，提供成围绕所述卡盘部件；/n边缘电极，在所述环部件布置成与所述卡盘部件电绝缘；/n边缘阻抗控制器，包括与所述边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及/n高频截止部，包括在所述边缘阻抗控制器中，并进行向所述阻抗控制电路不输送高频电力的截止。/n

【技术特征摘要】
20190627 KR 10-2019-00767821.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
处理腔室，提供等离子体产生空间；
卡盘部件，设置于所述处理腔室内，并支承基板；
两个以上的RF电源，向所述卡盘部件提供彼此不同频率的RF电力；
环部件，提供成围绕所述卡盘部件；
边缘电极，在所述环部件布置成与所述卡盘部件电绝缘；
边缘阻抗控制器，包括与所述边缘电极电连接而调节边缘电极的电位的阻抗控制电路；以及
高频截止部，包括在所述边缘阻抗控制器中，并进行向所述阻抗控制电路不输送高频电力的截止。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理装置还包括：
中频截止部，包括在所述边缘阻抗控制器中，并进行向所述阻抗控制电路不输送中频电力的截止。


3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频截止部包括与阻抗控制电路并联连接的高通滤波器。


4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频截止部包括与阻抗控制电路串联连接的低通滤波器。


5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述中频截止部包括与阻抗控制电路串联连接的带阻滤波器。


6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频截止部包括截止27MHz以上的高频电力的滤波器。


7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频截止部包括仅使3MHz以下的低频电力向阻抗控制电路侧通过的滤波器。


8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述RF电源包括第一RF电源、第二RF电源以及第三RF电源，
所述第一RF电源、所述第二RF电源以及所述第三RF电源分别输出高频电力、中频电力以及低频电力。


9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述环部件包括：
第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：具滋明，肖特拉克尔言，具重谟，赵台勋，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR