用于等离子室的边缘环制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于等离子室的边缘环，所述边缘环被配置为沿衬底支撑件的外围放置。所述边缘环的顶部包括：内部台阶区域；倾斜区域；外部弯曲区域；具有顶部环形表面的中间顶部区域。所述中间顶部区域在所述外部弯曲区域和所述倾斜区域之间延伸。所述倾斜区域具有环状的成角度的表面并且设置在所述中间顶部区域和所述内部台阶区域之间。所述边缘环的底部包括底部环形表面，所述底部环形表面具有从所述底部环形表面形成到所述边缘环中的多个螺钉插孔件。

【技术实现步骤摘要】
用于等离子室的边缘环
本技术涉及一种用于等离子体处理模块的具有螺钉插孔件(screwinsert)的边缘环。
技术介绍
在处理半导体衬底中使用的典型衬底处理系统包括用于传送和存储衬底的衬底存储盒[也称为“衬底存储站”或前开式晶圆传送盒(FOUP)]、接合在FOUP与一个或多个负载锁定室(也称为“气闸”)的第一侧之间的设备前端模块(EFEM)、耦合到一个或多个气闸的第二侧的真空传输模块，以及耦合到真空传输模块的一个或多个处理模块。每个处理模块用于执行特定的制造操作，例如清洁操作、沉积、蚀刻操作、漂洗操作、干燥操作等。使用凝胶将处理模块的某些硬件部件与处理模块的其他硬件部件粘合在一起。在制造操作过程中，一些凝胶随着时间的流逝而磨损。随着凝胶的磨损，两个硬件部件之间的粘附力减小。当粘附力减小时，硬件部件在制造操作过程中偏移。这导致制造操作的不良结果。在此上下文中，出现了本技术的实施方案。
技术实现思路
公开了一种用于等离子体室的边缘环，所述边缘环被配置为沿衬底支撑件的外围放置，所述边缘环的特征在于，所述边缘环的顶部包括内部台阶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于等离子室的边缘环，所述边缘环被配置为沿衬底支撑件的外围放置，所述边缘环的特征在于，/n所述边缘环的顶部，其包括：/n内部台阶区域；/n倾斜区域；/n外部弯曲区域；/n具有顶部环形表面的中间顶部区域，其中所述中间顶部区域在所述外部弯曲区域和所述倾斜区域之间延伸，其中所述倾斜区域具有环状的成角度的表面并且设置在所述中间顶部区域和所述内部台阶区域之间；以及/n所述边缘环的底部，其包括底部环形表面，所述底部环形表面具有从所述底部环形表面形成到所述边缘环中的多个螺钉插孔件。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于等离子室的边缘环，所述边缘环被配置为沿衬底支撑件的外围放置，所述边缘环的特征在于，
所述边缘环的顶部，其包括：
内部台阶区域；
倾斜区域；
外部弯曲区域；
具有顶部环形表面的中间顶部区域，其中所述中间顶部区域在所述外部弯曲区域和所述倾斜区域之间延伸，其中所述倾斜区域具有环状的成角度的表面并且设置在所述中间顶部区域和所述内部台阶区域之间；以及
所述边缘环的底部，其包括底部环形表面，所述底部环形表面具有从所述底部环形表面形成到所述边缘环中的多个螺钉插孔件。


2.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述多个螺钉插孔件中的每一个延伸到在所述底部环形表面和所述顶部环形表面之间的深度。


3.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述多个螺钉插孔件中的每一个具有容纳螺纹。


4.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述多个螺钉插孔件中的每一个具有容...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·C·凯洛格，亚当·克里斯多夫·梅斯，阿列克谢·马拉霍塔诺夫，约翰·霍兰德，陈志刚，菲力克斯·莱布·科扎克维奇，亚历山大·马丘什金，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：新型
国别省市：美国;US