一种导热片和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种导热片和等离子体处理装置，所述导热片用于将第一部件所发出的热量向第二部件进行传送，所述导热片包括：第一导热层和第二导热层，第一导热层的第一表面与第一部件的表面相接触，第二导热层的第一表面与第一导热层的第二表面相接触，第二导热层的第二表面与第二部件的表面相接触；第二导热层为可压缩变形的导热层，其包括若干个凸起结构，若干个凸起结构均分布在第一导热层的第二表面上。本发明专利技术具有使得导热片与第二部件持续保持良好的热接触，使得第二部件具有受热均匀的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种导热片和等离子体处理装置
本专利技术涉及导热
，特别涉及一种导热片和等离子体处理装置。
技术介绍
现有的导热片多为平面式导热片，导热片通常具有两个表面，其上表面和下表面，其上下表面相对设置，当导热片位于加热部件和第二部件之间时，其上表面和下表面中的一个表面与所述加热部件相接触，其另一个表面与所述第二部件相接触。当对第二部件进行加热时，第二部件遇到高温，其本身会发生变形，与导热片和加热部件之间的间隙会增大，又由于导热片是平面式的，其被压缩后不能很好的回弹，导致当第二部件发生形变之后，其与第二部件间会有间隙，导致与第二部件之间所形成的热接触面不均匀，进而使得所述第二部件受热不均匀。等离子体处理装置采用包括蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、离子注入以及抗蚀去除(resistremoval)的技术来处理基底(衬底或晶圆)。上述用于等离子体处理的等离子体处理装置包括含有顶电极和底电极的反应室。电极之间建立电场以将处理气体激发成等离子体状态，从而处理反应室中的基底。在处理工艺中，为符合工艺要求，必须严格控制大量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导热片，用于将第一部件所发出的热量向第二部件进行传送，其特征在于，所述导热片包括：第一导热层和第二导热层，所述第一导热层的第一表面与所述第一部件的表面相接触，所述第二导热层的第一表面与所述第一导热层的第二表面相接触，所述第二导热层的第二表面与所述第二部件的表面相接触；/n所述第二导热层为可压缩变形的导热层，其包括若干个凸起结构，若干个所述凸起结构均分布在所述第一导热层的第二表面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种导热片，用于将第一部件所发出的热量向第二部件进行传送，其特征在于，所述导热片包括：第一导热层和第二导热层，所述第一导热层的第一表面与所述第一部件的表面相接触，所述第二导热层的第一表面与所述第一导热层的第二表面相接触，所述第二导热层的第二表面与所述第二部件的表面相接触；
所述第二导热层为可压缩变形的导热层，其包括若干个凸起结构，若干个所述凸起结构均分布在所述第一导热层的第二表面上。


2.如权利要求1所述的导热片，其特征在于，所述第一部件和所述第二部件之间具有间隙，当所述第二部件受热变形时，所述导热片的初始厚度大于等于所述第一部件和所述第二部件之间的间隙。


3.如权利要求1所述的导热片，其特征在于，所述第一导热层为可压缩变形的导热层。


4.如权利要求3所述的导热片，其特征在于，还包括第三导热层，所述第三导热层的第一表面与所述加热部件的表面相接触，其第二表面与所述第一导热层的第一表面相...

【专利技术属性】
技术研发人员：廉晓芳，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31